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龍圖騰網(wǎng)獲悉紹興中芯集成電路制造股份有限公司申請的專利晶圓單面化學(xué)鍍方法、半導(dǎo)體器件制造方法及半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114899126B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210407375.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/67；該發(fā)明授權(quán)晶圓單面化學(xué)鍍方法、半導(dǎo)體器件制造方法及半導(dǎo)體器件是由楊凌輝;黎哲;鄧方圓;吳榮成;劉晗設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-04-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本晶圓單面化學(xué)鍍方法、半導(dǎo)體器件制造方法及半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及晶圓單面化學(xué)鍍方法、半導(dǎo)體器件制造方法及半導(dǎo)體器件，晶圓單面化學(xué)鍍方法包括：提供一側(cè)形成Taiko環(huán)的晶圓；提供剛性支撐板；將Taiko環(huán)的端面與剛性支撐板緊密相連；將緊密相連的晶圓以及剛性支撐板進(jìn)行化學(xué)鍍處理；分離化學(xué)鍍處理后的晶圓與剛性支撐板。利用該單面化學(xué)鍍方法可進(jìn)行采用Taiko減薄工藝減薄后的晶圓單面化學(xué)鍍處理，省去了現(xiàn)有化學(xué)鍍工藝前后的貼膜和揭膜工序，避免了原有化學(xué)鍍貼膜工藝漏液的發(fā)生；采用剛性支撐板與晶圓的Taiko環(huán)的端面進(jìn)行粘接，有助于減小單面化學(xué)鍍時晶圓的翹曲度，可以顯著降低晶圓單面化學(xué)鍍后片內(nèi)色差，對產(chǎn)品的外觀及應(yīng)用的可靠性都有所提升。

本發(fā)明授權(quán)晶圓單面化學(xué)鍍方法、半導(dǎo)體器件制造方法及半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.晶圓單面化學(xué)鍍方法，其特征在于，包括：提供一側(cè)形成Taiko環(huán)的晶圓；提供剛性支撐板，所述剛性支撐板采用透光板；在所述剛性支撐板的一側(cè)表面涂覆LTHC涂布液，所述剛性支撐板的一側(cè)表面涂覆LTHC涂布液后，進(jìn)行第一次固化形成LTHC涂層；在所述Taiko環(huán)的端面涂覆光敏膠，將所述剛性支撐板具有所述LTHC涂層的一面與所述Taiko環(huán)的端面上的所述光敏膠粘接，然后固化處理，令所述Taiko環(huán)的端面與所述剛性支撐板緊密相連；將所述緊密相連的所述晶圓以及所述剛性支撐板進(jìn)行化學(xué)鍍處理；采用激光照射方式分離所述化學(xué)鍍處理后的所述晶圓與所述剛性支撐板。

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