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龍圖騰網(wǎng)恭喜瑞薩電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN108511410B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201810158631.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/485；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置是由萱島祐治;關(guān)口智久設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-02-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。在半導(dǎo)體基板上隔著層間絕緣膜形成與布線M2a，在該層間絕緣膜上以覆蓋布線M2a的方式形成有層間絕緣膜IL3，在層間絕緣膜IL3上形成有焊盤PD1。在層間絕緣膜IL3上，形成有具有暴露焊盤PD1的開口部OP3的層疊膜LM，在包括從開口部OP3暴露的焊盤PD1之上在內(nèi)的層疊膜LM上形成有焊盤PD1電連接的再布線RW。布線M2a的端部位于焊盤PD1與再布線RW的連接區(qū)域CN的下方。在布線M2a中形成有多個(gè)開口部SL，在俯視觀察時(shí)，多個(gè)開口部SL的至少一部分與連接區(qū)域CN重疊。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有： 半導(dǎo)體基板； 第一布線，在所述半導(dǎo)體基板上隔著第一層間絕緣膜形成； 第二層間絕緣膜，在所述第一層間絕緣膜上以覆蓋所述第一布線的方式形成； 第一焊盤，形成在所述第二層間絕緣膜上； 第一絕緣膜，形成在所述第二層間絕緣膜上，具有暴露所述第一焊盤的第一開口部； 第二布線，形成在包括從所述第一開口部暴露的所述第一焊盤之上在內(nèi)的所述第一絕緣膜上，與所述第一焊盤電連接；以及 第二焊盤，形成在所述第一絕緣膜上，與所述第二布線成一體地連接， 其中，在俯視觀察時(shí)，所述第一布線的至少一部分與所述第一焊盤重疊， 所述第一布線的端部位于所述第一焊盤與所述第二布線的連接區(qū)域的下方， 在所述第一布線中的第一區(qū)域形成有多個(gè)第二開口部， 在俯視觀察時(shí)，所述第一區(qū)域的至少一部分與所述連接區(qū)域重疊， 所述第一布線成一體地具有沿第一方向延伸的第一布線部以及沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二布線部， 所述第一布線部與所述第二布線部的連結(jié)部包含于所述第一區(qū)域， 在所述第一布線部中的所述第一區(qū)域，所述多個(gè)第二開口部在所述連結(jié)部的附近形成為網(wǎng)格狀，在除了所述連結(jié)部的附近以外的部分形成為沿所述第一方向延伸的狹縫狀。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人瑞薩電子株式會(huì)社，其通訊地址為：日本東京；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。