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龍圖騰網恭喜常州承芯半導體有限公司申請的專利一種體聲波諧振裝置的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114128140B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980098512.7，技術領域涉及：H03H3/02；該發明授權一種體聲波諧振裝置的形成方法是由劉宇浩設計研發完成，并于2019-09-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種體聲波諧振裝置的形成方法在說明書摘要公布了：體聲波諧振裝置的形成方法，包括：形成第一層，包括：提供第一基底；形成壓電層，位于第一基底上；形成第一電極層，位于壓電層上；形成空腔預處理層，位于壓電層上，用于形成空腔，空腔預處理層至少覆蓋第一電極層的第一端，空腔預處理層接觸壓電層，與壓電層形成聲學反射結構，用于阻隔漏波，其中，第一層的第一側對應第一基底側，第一層的第二側對應空腔預處理層側；形成第二層，包括：提供第二基底；接合第一層和第二層，其中，第二層位于第二側；去除第一基底，第一側對應壓電層側；以及形成第二電極層，位于第一側，接觸壓電層。本發明提高諧振裝置的機電耦合系數以及Q值。此外，第二基底加工和有源層加工可以分開進行，具有靈活性。

本發明授權一種體聲波諧振裝置的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種體聲波諧振裝置的形成方法，其特征在于，包括：形成第一層，所述形成第一層包括：提供第一基底；形成壓電層，位于所述第一基底上；形成第一電極層，位于所述壓電層上；形成空腔預處理層，位于所述壓電層上，用于形成空腔，所述空腔預處理層至少覆蓋所述第一電極層的第一端，其中，所述第一層的第一側對應所述第一基底側，所述第一層的第二側對應所述空腔預處理層側；形成第二層，所述形成第二層包括：提供第二基底；連接所述第一層和所述第二層，其中，所述第二層位于所述第二側；去除所述第一基底，所述第一側對應所述壓電層側；以及形成第二電極層，位于所述第一側，接觸所述壓電層；其中所述形成壓電層包括：形成第一子壓電層，位于所述第一基底上；形成第二子壓電層，位于所述第一子壓電層上；在去除所述第一基底后，去除所述第一子壓電層，所述第一側對應所述第二子壓電層側。

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