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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體裝置及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111739942B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910511593.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其形成方法是由鄭志昌;朱馥鈺;柳瑞興設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-06-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體裝置及其形成方法在說明書摘要公布了：在一些實(shí)施例中，提供一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置在半導(dǎo)體襯底中，其中所述隔離結(jié)構(gòu)的內(nèi)周界劃定出所述半導(dǎo)體襯底的裝置區(qū)。柵極設(shè)置在所述裝置區(qū)之上，其中所述柵極的外周界設(shè)置在所述隔離結(jié)構(gòu)的所述內(nèi)周界內(nèi)。第一源極漏極區(qū)設(shè)置在所述裝置區(qū)中及所述柵極的第一側(cè)上。第二源極漏極區(qū)設(shè)置在所述裝置區(qū)中及所述柵極的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)上。硅化物阻擋結(jié)構(gòu)局部地覆蓋所述柵極、局部地覆蓋所述第一源極漏極區(qū)且局部地覆蓋所述隔離結(jié)構(gòu)，其中所述硅化物阻擋結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁設(shè)置在所述柵極的第一相對側(cè)壁之間。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底中，其中所述隔離結(jié)構(gòu)的內(nèi)周界劃定出所述半導(dǎo)體襯底的裝置區(qū)；柵極，設(shè)置在所述裝置區(qū)之上，其中所述柵極的外周界設(shè)置在所述隔離結(jié)構(gòu)的所述內(nèi)周界內(nèi)；第一源極漏極區(qū)，設(shè)置在所述裝置區(qū)中及所述柵極的第一側(cè)上；第二源極漏極區(qū)，設(shè)置在所述裝置區(qū)中及所述柵極的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)上；以及硅化物阻擋結(jié)構(gòu)，局部地覆蓋所述柵極、局部地覆蓋所述第一源極漏極區(qū)且局部地覆蓋所述隔離結(jié)構(gòu)，其中所述硅化物阻擋結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁設(shè)置在所述柵極的第一相對側(cè)壁之間。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。