恭喜新加坡商格羅方德半導體私人有限公司蔡新樹獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜新加坡商格羅方德半導體私人有限公司申請的專利具有溝槽形選擇柵極的分柵閃存單元獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114256254B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111101296.2，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權具有溝槽形選擇柵極的分柵閃存單元是由蔡新樹;陳學深;卓榮發;郭克文設計研發完成，并于2021-09-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有溝槽形選擇柵極的分柵閃存單元在說明書摘要公布了：本發明涉及具有溝槽形選擇柵極的分柵閃存單元，揭示了用于分柵閃存單元的結構和形成用于分柵閃存單元的結構的方法。在半導體基板中形成溝槽。在半導體基板中形成第一和第二源極漏極區域。第一柵極橫向位于溝槽和第二源極漏極區域之間，且第二柵極包括溝槽內的部分。第一源極漏極區域位于溝槽下方的半導體基板中。介電層位于溝槽內的第二柵極的部分和半導體基板之間。
本發明授權具有溝槽形選擇柵極的分柵閃存單元在權利要求書中公布了：1.一種用于閃存單元的結構，所述結構包括：半導體基板，包括溝槽；第一源極漏極區域和第二源極漏極區域，位于所述半導體基板中，所述第一源極漏極區域位于所述溝槽下方，且所述第二源極漏極區域與所述第一源極漏極區域橫向間隔；阱，位于圍繞所述溝槽的所述半導體基板的一部分中，其中，所述阱提供設置在所述第一源極漏極區域和所述第二源極漏極區域之間的溝槽區域；第一柵極，橫向位于所述溝槽與所述第二源極漏極區域之間；第二柵極，包括所述溝槽內的第一部分及所述第一部分上方的第二部分，所述第二柵極的所述第二部分橫向延伸以與所述第一柵極重疊；第一介電層，包括所述溝槽內的第一部分及位于所述第二柵極的所述第二部分和所述第一柵極之間的第二部分，所述第一介電層的所述第一部分位于所述第二柵極的所述第一部分和所述半導體基板之間；以及第二介電層，位于所述第一柵極和所述第一介電層的所述第二部分之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人新加坡商格羅方德半導體私人有限公司，其通訊地址為：新加坡,新加坡城；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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