恭喜蘇州易纜微半導體技術有限公司陳朋鑫獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜蘇州易纜微半導體技術有限公司申請的專利一種自對準高精度調制器制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114371561B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111664187.1，技術領域涉及：G02F1/03；該發明授權一種自對準高精度調制器制備方法是由陳朋鑫;陳偉;范宣聰;阮子良設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種自對準高精度調制器制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種自對準高精度鈮酸鋰調制器的制備方法，包括以下步驟：S1:對有基底、下包層、薄膜鈮酸鋰構成的晶圓通過前序工藝沉積金屬層；S2:采用光刻技術將波導的金屬掩膜和電極的圖形轉移至金屬層；S3:經鈮酸鋰刻蝕工藝在波導兩側刻蝕溝槽形成鈮酸鋰波導；S4:通過半導體工藝在金屬層上制備保護層；S5:對保護層圖形化，電極上面的保護圖形將電極包覆，而波導上面的金屬掩膜裸露在外；S6:去除裸露在外的金屬掩膜；S7:去除保護電極的保護圖形；S8:制備上包層。本發明在圖形化金屬層時，同時將制備波導所需的金屬掩膜和電極同時轉移至金屬層，實現兩者之間自對準高精度效果，避免采用套刻工藝帶來誤差。
本發明授權一種自對準高精度調制器制備方法在權利要求書中公布了：1.一種自對準高精度鈮酸鋰調制器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：S1:對有基底1、下包層2、薄膜鈮酸鋰3構成的晶圓通過前序工藝沉積金屬層；S2:采用光刻技術將波導31的金屬掩膜42和電極41的圖形轉移至金屬層4，形成圖形化的金屬層4；S3:經鈮酸鋰刻蝕工藝在波導31兩側刻蝕溝槽形成鈮酸鋰波導31；S4:通過半導體工藝在金屬層4上制備保護層5；S5:對保護層5圖形化，電極41上面的保護圖形51將電極41包覆，而波導31上面的金屬掩膜42裸露在外；S6:去除裸露在外的金屬掩膜42；S7:去除保護電極41的保護圖形51；S8:制備上包層6。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州易纜微半導體技術有限公司，其通訊地址為：215100 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿易試驗區蘇州片區金雞湖大道99號蘇州納米城西北區12幢303；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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