恭喜應用材料公司E·文卡塔蘇布磊曼聶獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜應用材料公司申請的專利用于進行圖案化的高品質C膜的脈沖等離子體(DC/RF)沉積獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112041481B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880092808.3，技術領域涉及：C23C16/503；該發明授權用于進行圖案化的高品質C膜的脈沖等離子體(DC/RF)沉積是由E·文卡塔蘇布磊曼聶;楊揚;P·曼納;K·拉馬斯瓦米;T·越澤;A·B·瑪里克設計研發完成，并于2018-10-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于進行圖案化的高品質C膜的脈沖等離子體(DC/RF)沉積在說明書摘要公布了：本公開的實施例涉及用于使用等離子體增強化學氣相沉積PECVD工藝將非晶碳層沉積到基板上、包括沉積在所述基板上的先前形成的層上方的方法，具體而言，本文中描述的方法利用RFAC功率和脈沖DC功率的組合來產生等離子體，所述等離子體以sp3類金剛石碳與sp2類石墨碳的高比率來沉積非晶碳層。所述方法還提供了較低處理壓力、較低處理溫度和較高處理功率，以上各項中的每一者單獨地或組合地可進一步增大在所沉積的非晶碳層中sp3碳的相對分數。由于較高的sp3碳分數，與通過常規方法沉積的非晶碳層相比，本文中描述的方法提供了具有改進的密度、剛度、蝕刻選擇性和膜應力的非晶碳層。
本發明授權用于進行圖案化的高品質C膜的脈沖等離子體(DC/RF)沉積在權利要求書中公布了：1.一種處理基板的方法，包括：將所述基板定位在設置在工藝腔室的工藝容積中的基板支撐件上；使包括碳氫化合物氣體和稀釋氣體的工藝氣體流動到所述工藝容積中；將所述工藝容積維持在小于100毫托的壓力；通過將第一功率施加到所述工藝腔室的第一電極并將第二功率施加到所述工藝腔室的第二電極來形成所述工藝氣體的等離子體，其中所述第一功率是RFAC功率且所述第二功率是第一脈沖DC功率；將所述基板支撐件維持在小于200℃的溫度；使所述基板的表面暴露于所述等離子體；以及在所述基板的所述表面上沉積非晶碳層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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