恭喜上海芯元基半導體科技有限公司;中微半導體設備(上海)股份有限公司郝茂盛獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海芯元基半導體科技有限公司;中微半導體設備(上海)股份有限公司申請的專利半導體結構、器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110620034B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910843531.X，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權半導體結構、器件及其制備方法是由郝茂盛;胡建正;袁根如;馬艷紅;張楠;陳朋設計研發完成，并于2019-09-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構、器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體結構、器件及其制備方法，半導體結構包括：襯底、成核層、多個間隔排布的溝道及外延層；成核層形成于襯底上并覆蓋襯底的上表面，為含Al氮化物層，晶向為0001晶向；溝道貫穿成核層且底部位于襯底中，將成核層劃分為多個間隔排布的成核層平臺；外延層為含Al氮化物層，形成于成核層平臺上并覆蓋成核層平臺的上表面及溝道的開口。本發明通過溝道及成核層的結構，減少外延層在溝道上成核的幾率，且進一步的通過成核層及外延層的材質的選擇，增加外延層在成核層平臺上成核的幾率，以進一步的增大外延層在成核層平臺及溝道上成核的幾率差，制備具有良好的平整性及完整性的外延層。
本發明授權半導體結構、器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：提供襯底；于所述襯底上形成成核層，所述成核層覆蓋所述襯底的上表面，且所述成核層為含Al氮化物層，所述成核層的晶向為0001晶向；于所述成核層的上表面形成光刻膠層，并圖形化所述光刻膠層以形成刻蝕窗口，然后以所述圖形化的光刻膠層作為掩膜，刻蝕所述成核層及所述襯底以形成多個間隔排布的溝道，所述溝道貫穿所述成核層，且所述溝道的底部位于所述襯底中，以將所述成核層劃分為多個間隔排布的成核層平臺；于所述成核層平臺上形成外延層，所述外延層為含Al氮化物層，所述外延層覆蓋所述成核層平臺的上表面，且所述外延層覆蓋所述溝道的開口。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海芯元基半導體科技有限公司;中微半導體設備(上海)股份有限公司，其通訊地址為：201209 上海市浦東新區川沙路151號3幢T1046室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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