買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜深圳市晶相技術有限公司申請的專利氮化鎵外延層、半導體器件及所述半導體器件的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110620158B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910914006.2，技術領域涉及：H10D8/60；該發明授權氮化鎵外延層、半導體器件及所述半導體器件的制備方法是由林信南;劉美華;劉巖軍設計研發完成，并于2019-09-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本氮化鎵外延層、半導體器件及所述半導體器件的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種氮化鎵外延層、半導體器件及所述半導體器件的制備方法，涉及半導體技術領域。本發明的半導體器件包括：半導體襯底、第一緩沖層、后處理層、第二緩沖層；勢壘層、鈍化層、第一陽極接觸孔、第一陽極、介質層、第二陽極接觸孔、第二陽極、陰極接觸孔、陰極、保護層、陽極開孔、陽極導通金屬、陰極開孔、陰極導通金屬和場板層。本發明解決了當緩沖層為一層時，緩沖層與半導體襯底界面之間存在漏電流的問題。

本發明授權氮化鎵外延層、半導體器件及所述半導體器件的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，其包括：半導體襯底；第一緩沖層，其設置在所述半導體襯底上；后處理層，其設置在所述第一緩沖層遠離所述半導體襯底的一側，所述后處理層為三氧化二鋁層；第二緩沖層，其設置在所述后處理層遠離所述第一緩沖層的一側，且所述第二緩沖層為氮化鎵層或氮化鋁鎵層；勢壘層，其設置在所述第二緩沖層遠離所述后處理層的一側；鈍化層，其設置在所述勢壘層遠離所述第二緩沖層的一側；第一陽極接觸孔，其貫穿所述鈍化層伸入所述勢壘層中；第一陽極，其設置在所述第一陽極接觸孔內；介質層，其設置在所述鈍化層遠離所述勢壘層的一側以及所述第一陽極與所述勢壘層之間；第二陽極接觸孔，其貫穿所述介質層、所述鈍化層且伸入所述勢壘層中；第二陽極，其設置在所述第二陽極接觸孔內；陰極接觸孔，其貫穿所述介質層和所述鈍化層；陰極，其設置在所述介質層上及陰極接觸孔內；保護層，其設置在所述第一陽極、所述第二陽極、所述陰極與所述介質層上；陽極開孔，其貫穿所述保護層以暴露所述第一陽極和所述第二陽極；陽極導通金屬，設置在所述保護層遠離所述介質層的一側，且所述陽極導通金屬與所述第一陽極、所述第二陽極連接；陰極開孔，其貫穿所述保護層以暴露所述陰極；陰極導通金屬，其設置在所述保護層遠離所述介質層的一側，且所述陰極導通金屬與所述陰極連接；場板層，其設置在所述保護層上，所述場板層與所述陽極導通金屬連接，其中所述陽極導通金屬、所述陰極導通金屬和所述場板層同步形成。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市晶相技術有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市坪山區坪山街道六和社區招商花園城17棟S1704；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。