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龍圖騰網恭喜深圳市匯芯通信技術有限公司申請的專利一次光刻制作HEMT的柵極、源極和漏極的方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114496754B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111683182.3，技術領域涉及：H01L21/28；該發(fā)明授權一次光刻制作HEMT的柵極、源極和漏極的方法是由許明偉;樊曉兵設計研發(fā)完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一次光刻制作HEMT的柵極、源極和漏極的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一次光刻制作HEMT的柵極、源極和漏極的方法，而本申請通過一次光刻形成源極開槽、柵極開槽和漏極開槽，接著在柵極開槽處設置光刻膠，然后再沉積第一金屬層以此形成源極后漏極的接觸層，與此同時由于光刻膠的設置使得柵極開槽位置的金屬沉積是沉積在光刻膠上并不會沉積到柵極開槽位置，再然后將光刻膠進行濕法去除，最后在柵極開槽處形成柵極接觸層，以此通過光刻步驟同時形成源級、漏極和柵極的開槽，對于柵極關鍵尺寸，柵極到源、漏極的關鍵距離等通過光刻完成，避免使用傳統(tǒng)集成工藝的多次光刻帶來的對準誤差，從而實現了高電子遷移率晶體管可以更加小型化，提高其射頻性能效果。

本發(fā)明授權一次光刻制作HEMT的柵極、源極和漏極的方法在權利要求書中公布了：1.一次光刻制作HEMT的柵極、源極和漏極的方法，其特征在于，包括以下步驟：在襯底上依次沉積第一介質層、第二介質層及第三介質層；對所述第一介質層、第二介質層及第三介質層進行光刻形成源極開槽、柵極開槽和漏極開槽；對光刻過后的所述第二介質層進行濕法刻蝕形成凹槽結構；在所述柵極開槽處形成反轉型的光刻膠；沉積第一金屬層；通過濕法去除所述光刻膠及所述光刻膠上的所述第一金屬層；通過濕法剝離所述第二介質層和所述第三介質層；在所述柵極開槽處形成柵極接觸層；其中，在所述柵極開槽處形成反轉型的光刻膠步驟中，所述光刻膠從所述柵極開槽的底部向上延伸預設高度，所述光刻膠的厚度大于所述柵極開槽的深度，所述光刻膠的寬度大于所述柵極開槽的寬度；且所述光刻膠頂部的寬度小于被光刻過后的所述第一介質層的長度，使得所述光刻膠不會延伸至所述漏極開槽和所述源極開槽的位置；其中，所述在所述柵極開槽處形成柵極接觸層的步驟中，包括如下步驟：依次沉積第四介質層和第五介質層；在所述柵極開槽位置對所述第五介質層進行開窗；在所述柵極開槽位置沉積第二金屬層，所述第二金屬層為柵極接觸層。

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