買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜華南師范大學申請的專利一種鐵電拓撲疇結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114843398B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210407875.8，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種鐵電拓撲疇結構及其制備方法是由田國;義鑫;高興森設計研發完成，并于2022-04-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種鐵電拓撲疇結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種鐵電拓撲疇結構的制備方法，其包括以下步驟：S1：采用脈沖激光沉積法在001方向的STO單晶襯底上沉積一層SRO導電層作為底電極；S2：在步驟S1制得的SRO底電極表面鋪展單層PS小球作為掩模板，再用氧等離子體刻蝕處理，然后置于離子束刻蝕機中進行刻蝕，最后去除殘留的單層PS小球掩模板，得到SRO納米點陣列底電極；S3：選擇BFO靶材，采用脈沖激光沉積法在步驟S2制得的SRO納米點陣列底電極上沉積一層菱方相的BFO薄膜形成納米點陣列，其為面外具有“十字形”緩沖疇的中心型拓撲疇結構，并且面內具有一個相反襯度的條帶疇。本發明制得的鐵電拓撲疇結構具有高密度、有序排列、調控方便等優勢。

本發明授權一種鐵電拓撲疇結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種鐵電拓撲疇結構的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：S1：采用脈沖激光沉積法在001方向的STO單晶襯底上沉積一層SRO導電層作為底電極；S2：在步驟S1制得的SRO底電極表面鋪展單層PS小球作為掩模板，再用氧等離子體刻蝕處理，然后置于離子束刻蝕機中進行刻蝕，最后去除殘留的單層PS小球掩模板，得到SRO納米點陣列底電極；S3：選擇BFO靶材，采用脈沖激光沉積法在步驟S2制得的SRO納米點陣列底電極上沉積一層菱方相的BFO薄膜形成納米點陣列，其為中心型拓撲疇結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華南師范大學，其通訊地址為：510000 廣東省廣州市番禺區廣州大學城外環西路378號華南師范大學華南先進光電子研究院；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。