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龍圖騰網(wǎng)恭喜浙江廣芯微電子有限公司申請的專利一種MOSFET共線封裝控制方法及系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119786343B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510258179.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/304；該發(fā)明授權(quán)一種MOSFET共線封裝控制方法及系統(tǒng)是由謝剛;劉斌凱;林宇航設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-03-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種MOSFET共線封裝控制方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種MOSFET共線封裝控制方法及系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：獲取待切割晶圓的芯片分布框線圖，并根據(jù)該圖進行切割最短路徑尋優(yōu)，生成晶圓切割推薦路徑；獲得切割速度和深度的時序信息。通過切割溫度預(yù)測模型，結(jié)合切割路徑、速度和深度信息，生成切割溫度時序信息；根據(jù)溫度時序信息優(yōu)化冷卻控制，獲得推薦的冷卻液流量和壓力時序信息；基于切割和冷卻參數(shù)進行晶圓切割，并獲得多個分離芯片用于MOSFET共線集成封裝。解決了現(xiàn)有技術(shù)中晶圓切割過程中的溫度控制不精確、冷卻效率低的技術(shù)問題，達(dá)到了提高晶圓切割過程中溫度控制的精確性和冷卻效率的技術(shù)效果。

本發(fā)明授權(quán)一種MOSFET共線封裝控制方法及系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MOSFET共線封裝控制方法，其特征在于，包括：獲得待切割晶圓的芯片分布框線圖；根據(jù)所述芯片分布框線圖進行切割最短路徑尋優(yōu)，獲得晶圓切割推薦路徑；獲得切割速度時序信息和切割深度時序信息；通過切割溫度預(yù)測模型，對所述晶圓切割推薦路徑、所述切割速度時序信息和所述切割深度時序信息進行處理，獲得切割溫度時序信息；根據(jù)所述切割溫度時序信息對冷卻控制進行尋優(yōu)，獲得冷卻液推薦流量時序信息和冷卻液推薦壓力時序信息；根據(jù)所述切割速度時序信息、所述切割深度時序信息、所述冷卻液推薦流量時序信息和所述冷卻液推薦壓力時序信息進行晶圓切割，獲得若干個分離芯片進行MOSFET共線集成封裝。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人浙江廣芯微電子有限公司，其通訊地址為：323000 浙江省麗水市蓮都區(qū)南明山街道七百秧街122號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。