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龍圖騰網(wǎng)恭喜成都沃特塞恩電子技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利改善鍍膜質(zhì)量的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119640243B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510158492.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/511；該發(fā)明授權(quán)改善鍍膜質(zhì)量的方法是由劉文科;李俊宏;胡宗義設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-02-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本改善鍍膜質(zhì)量的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種改善鍍膜質(zhì)量的方法，屬于微波技術(shù)領(lǐng)域。上述沉積設(shè)備包括機(jī)架、腔體、樣品臺(tái)及升降驅(qū)動(dòng)裝置，機(jī)架包括放電腔底板。腔體的底部與放電腔底板的上部連接，并圍合形成放電腔。樣品臺(tái)設(shè)置在放電腔內(nèi)，樣品臺(tái)的底部設(shè)置有升降桿，放電腔底板上設(shè)置有安裝孔，升降桿可滑動(dòng)地穿過安裝孔。升降驅(qū)動(dòng)裝置與升降桿的底部連接，用于驅(qū)動(dòng)升降桿帶動(dòng)樣品臺(tái)上下移動(dòng)。上述方法使用了上述沉積設(shè)備，通過將樣品臺(tái)上下移動(dòng)一定距離，能夠改善電磁場(chǎng)分布情況，使得等離子球更加扁平，進(jìn)而能夠使得鍍膜厚度更加均勻，提高鍍膜質(zhì)量。

本發(fā)明授權(quán)改善鍍膜質(zhì)量的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種改善鍍膜質(zhì)量的方法，其特征在于，采用了微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備，所述微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括放電腔和樣品臺(tái)，所述樣品臺(tái)設(shè)置在所述放電腔內(nèi)，所述放電腔內(nèi)還設(shè)置有腔內(nèi)板，所述腔內(nèi)板中部設(shè)置有通孔，所述腔內(nèi)板的外邊緣與腔體的內(nèi)壁滑動(dòng)配合；所述腔內(nèi)板位于所述樣品臺(tái)的下方，所述樣品臺(tái)的底部設(shè)置有升降桿，所述升降桿穿過所述腔內(nèi)板的通孔；所述方法包括以下步驟：實(shí)時(shí)檢測(cè)樣品臺(tái)中心點(diǎn)及邊緣四個(gè)方向的溫度；當(dāng)樣品臺(tái)中心位置溫度高于樣品臺(tái)邊緣位置的平均溫度時(shí)，則升高樣品臺(tái)預(yù)設(shè)距離，繼續(xù)監(jiān)測(cè)預(yù)設(shè)時(shí)間之后，當(dāng)樣品臺(tái)中心位置溫度仍然高于樣品臺(tái)邊緣位置的平均溫度時(shí)，則降低腔內(nèi)板的高度；樣品臺(tái)邊緣相對(duì)的兩個(gè)位置的溫度分別為第一溫度和第二溫度，當(dāng)?shù)谝粶囟群偷诙囟鹊牟畲笥陬A(yù)設(shè)差值時(shí)，則調(diào)節(jié)樣品臺(tái)的傾斜角度，使得樣品臺(tái)第一溫度和第二溫度中較低溫度對(duì)應(yīng)的位置朝遠(yuǎn)離等離子球的方向移動(dòng)預(yù)設(shè)距離。

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