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龍圖騰網恭喜北京麥竹吉科技有限公司申請的專利一種大直徑單晶硅用高強度籽晶及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119640390B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510176871.7，技術領域涉及：C30B15/36；該發明授權一種大直徑單晶硅用高強度籽晶及其制備方法是由陶瑩設計研發完成，并于2025-02-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種大直徑單晶硅用高強度籽晶及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于籽晶制造技術領域，具體是指一種大直徑單晶硅用高強度籽晶及其制備方法，所述大直徑單晶硅用高強度籽晶包括以下重量份數的原料：第一籽晶區硅液30份、第二重摻區硅液20份和第三輕摻區硅液10份；本發明采用獨特分區設計提升大直徑單晶硅用高強度籽晶性能；于第一籽晶區，高溫下碳化硅與硅反應引入單質碳，其阻礙位錯、增強晶界，提升強度與韌性；借高導熱率改善籽晶質量；同時，引入氮化硅在少氧條件生成Si2N2O，與單質碳形成共價鍵；在第二重摻區，引入重摻雜原子形成缺陷，強化與第一籽晶區碳的結合，為第三輕摻區輕摻雜提供位點，使重摻與輕摻結合，規避重摻對單晶硅品質的負面影響。

本發明授權一種大直徑單晶硅用高強度籽晶及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種大直徑單晶硅用高強度籽晶，其特征在于，包括以下重量份數的原料：第一籽晶區硅液30份、第二重摻區硅液20份和第三輕摻區硅液10份；所述第一籽晶區硅液包括以下制備原料：SiC、Si3N4、硅烷偶聯劑和多晶硅，所述SiC、Si3N4、硅烷偶聯劑和多晶硅的質量份數比為1-3:1.5-2.5:2:400-600；所述第二重摻區硅液包括以下制備原料：SbCl3、In2O3和多晶硅，所述SbCl3、In2O3和多晶硅的質量份數比為0.2-0.4:0.1:150-200；所述第三輕摻區硅液包括以下制備原料：Al2O3、PCl5和多晶硅，所述Al2O3、PCl5和多晶硅的質量份數比為0.05-0.1:0.01:140-180；所述大直徑單晶硅用高強度籽晶的制備方法，包括如下步驟：步驟一、在爐內保留第一籽晶區硅液，取細晶，對細晶預熱，將預熱后的細晶插入第一籽晶區硅液，引出，得到細晶-第一籽晶區；步驟二、在爐內保留第二重摻區硅液，對步驟一得到的細晶-第一籽晶區預熱，將預熱后的細晶-第一籽晶區插入第二重摻區硅液中，引出，得到細晶-第一籽晶區-第二重摻區；步驟三、在爐內保留第三輕摻區硅液，對步驟二得到的細晶-第一籽晶區-第二重摻區預熱，將預熱后的細晶-第一籽晶區-第二重摻區插入第三輕摻區硅液中，引出，得到細晶-第一籽晶區-第二重摻區-第三輕摻區，去掉細晶，得到高強度籽晶主體；步驟四、對步驟三得到的高強度籽晶主體研磨與拋光，得到大直徑單晶硅用高強度籽晶前體；步驟五、將步驟四得到的大直徑單晶硅用高強度籽晶前體超聲，對大直徑單晶硅用高強度籽晶前體進行混洗，清洗，退火，冷卻，得到大直徑單晶硅用高強度籽晶。

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