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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113140534B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010994148.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/48；該發(fā)明授權(quán)封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法是由沈文維;黃松輝;侯上勇設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-09-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法在說明書摘要公布了：一種封裝結(jié)構(gòu)，包含電路襯底和半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件安置在電路襯底上且電連接到電路襯底。半導(dǎo)體器件包含內(nèi)連線結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體管芯、絕緣密封體、保護層以及電連接件。內(nèi)連線結(jié)構(gòu)具有第一表面和第二表面。半導(dǎo)體管芯安置在第一表面上且電連接到內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。絕緣密封體密封半導(dǎo)體管芯且部分地覆蓋內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。保護層安置在內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的第二表面上且部分地覆蓋內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，其中保護層與絕緣密封體接觸。電連接件安置在保護層上，其中內(nèi)連線結(jié)構(gòu)通過多個電連接件電連接到電路襯底。

本發(fā)明授權(quán)封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：電路襯底；半導(dǎo)體器件，安置在所述電路襯底上且電連接到所述電路襯底，其中所述半導(dǎo)體器件包括：內(nèi)連線結(jié)構(gòu),具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，并且所述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)由具有第一熱膨脹系數(shù)數(shù)值的半導(dǎo)體第一材料所形成；半導(dǎo)體管芯，安置在所述第一表面上且電連接到所述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；絕緣密封體，安置在所述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的所述第一表面上且密封所述半導(dǎo)體管芯，其中所述絕緣密封體部分地覆蓋所述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁；保護層，安置在所述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的所述第二表面上且部分地覆蓋所述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的所述側(cè)壁，其中所述保護層與所述絕緣密封體接觸，并且所述保護層由具有第二熱膨脹系數(shù)數(shù)值的第二材料所制成，其中所述第二熱膨脹系數(shù)數(shù)值為在第二范圍內(nèi)的值，并且所述第二范圍與所述第一熱膨脹系數(shù)數(shù)值不重疊；以及多個電連接件，安置在所述保護層上，其中所述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)通過所述多個電連接件電連接到所述電路襯底；以及底部填充物結(jié)構(gòu)，安置在所述電路襯底與所述半導(dǎo)體器件之間，其中所述底部填充物結(jié)構(gòu)覆蓋所述多個電連接件且與所述絕緣密封體和所述保護層接觸，其中所述底部填充物結(jié)構(gòu)由不同于所述第二材料的第三材料所制成，并且具有第三熱膨脹系數(shù)數(shù)值，其中所述第三熱膨脹系數(shù)數(shù)值為在第三范圍內(nèi)的值，且所述第三范圍與第二范圍重疊。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。