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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113906574B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980096751.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法是由程凱設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-06-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括緩沖層，所述緩沖層包括擴散元素；形成于所述緩沖層上的擴散阻擋層，所述擴散阻擋層包括吸附性元素；以及形成于所述擴散阻擋層上的溝道層。本申請中，所述擴散阻擋層設(shè)置有吸附擴散元素的吸附性元素，從而有效阻擋擴散元素從緩沖層擴散至溝道層。此外，通過設(shè)置擴散阻擋層中吸附性元素的組分變化來避免擴散阻擋層的應(yīng)力釋放。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：緩沖層，所述緩沖層包括擴散元素；形成于所述緩沖層上的擴散阻擋層，所述擴散阻擋層包括吸附性元素；以及形成于所述擴散阻擋層上的溝道層，其中沿所述擴散阻擋層外延的方向，所述擴散阻擋層中所述吸附性元素的組分減小；所述擴散阻擋層包括III-V族化合物，所述III-V族化合物包括In的化合物，所述吸附性元素為In，所述In的化合物包括AlInGaN，并且Al組分小于In組分。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)20幢517-A室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。