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龍圖騰網(wǎng)恭喜元平臺技術(shù)有限公司申請的專利多光電二極管像素單元獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112400232B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980046088.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/18；該發(fā)明授權(quán)多光電二極管像素單元是由陳松;劉新橋設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-05-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本多光電二極管像素單元在說明書摘要公布了：提供了一種裝置。該裝置包括半導體襯底，該半導體襯底包括用于產(chǎn)生第一電荷的第一光電二極管、用于產(chǎn)生第二電荷的第二光電二極管、位于第一光電二極管和第二光電二極管之間的阻擋層，其中，第一光電二極管、阻擋層和第二光電二極管形成堆疊。該裝置還包括浮置漏極和一個或更多個柵極，該一個或更多個柵極包括：第一柵極部分和第二柵極部分，第一柵極部分在半導體襯底上，第二柵極部分從前側(cè)表面延伸穿過第一光電二極管并到達阻擋層。第一柵極部分被配置為傳導第一信號以控制電荷從第一光電二極管到浮置漏極的流動，并且第二柵極部分被配置為傳導用于控制阻擋層的第二信號以控制第二電荷的流動。

本發(fā)明授權(quán)多光電二極管像素單元在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多光電像素單元裝置，包括：半導體襯底，其包括：前側(cè)表面；第一光電二極管，其被配置為產(chǎn)生第一電荷；第二光電二極管，其被配置為產(chǎn)生第二電荷；阻擋層，其位于所述第一光電二極管和所述第二光電二極管之間，并且被配置為控制所述第二電荷從所述第二光電二極管到所述第一光電二極管的流動，其中，所述第一光電二極管、所述阻擋層和所述第二光電二極管沿著垂直于所述前側(cè)表面的軸形成堆疊；和浮置漏極，其用于存儲所述第一電荷或所述第二電荷；一個或更多個柵極，其包括：在所述前側(cè)表面上的第一柵極部分，其在所述第一光電二極管和所述浮置漏極之間的溝道區(qū)上方；和第二柵極部分，其從所述前側(cè)表面延伸穿過所述第一光電二極管并具有端部，所述端部沿所述軸終止于所述阻擋層內(nèi)部或下方，其中，所述第一柵極部分被配置為傳導第一信號以控制所述第一電荷從所述第一光電二極管經(jīng)由所述溝道區(qū)到所述浮置漏極的流動，并且其中，所述第二柵極部分被配置為傳導用于控制所述阻擋層的第二信號以控制所述第二電荷的流動。

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