恭喜長春理工大學方鉉獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長春理工大學申請的專利單晶鈣鈦礦材料及其制備方法和窄帶光響應探測器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114188486B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111483385.8，技術領域涉及：H10K85/50；該發明授權單晶鈣鈦礦材料及其制備方法和窄帶光響應探測器是由方鉉;張倩文;王登魁;房丹;田豐;王海珠;范杰;李金華;翟英嬌;楚學影;王曉華設計研發完成，并于2021-12-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本單晶鈣鈦礦材料及其制備方法和窄帶光響應探測器在說明書摘要公布了：本申請提供一種單晶鈣鈦礦材料及其制備方法和窄帶光響應探測器。單晶鈣鈦礦材料，包括鈣鈦礦單晶和包覆在其表面的金屬氧化物膜層；鈣鈦礦單晶包括通式為MAPbX3的化合物中的一種或多種。單晶鈣鈦礦材料的制備方法：將鈣鈦礦單晶前驅體溶液在加熱條件下靜置，固液分離得到所述鈣鈦礦單晶；以臭氧為氧的前驅體、以金屬氧化物膜層對應的金屬的化合物為金屬前驅體，在鈣鈦礦單晶的表面進行原子層沉積，從而引入界面偶極子層，得到單晶鈣鈦礦材料。窄帶光響應探測器，其原料包括所述的單晶鈣鈦礦材料。本申請提供的單晶鈣鈦礦材料，進一步窄化光響應半峰寬、抑制了背景噪聲，提高了短波抑制比，有效提高了單晶的穩定性并且增強了器件的使用壽命。
本發明授權單晶鈣鈦礦材料及其制備方法和窄帶光響應探測器在權利要求書中公布了：1.一種窄帶光響應探測器，其特征在于，其原料包括單晶鈣鈦礦材料，所述單晶鈣鈦礦材料包括鈣鈦礦單晶和包覆在其表面的金屬氧化物膜層；所述鈣鈦礦單晶包括通式為MAPbX3的化合物中的一種或多種，其中，X為Cl、Br和I中的一種或多種；所述金屬氧化物膜層的材料包括氧化鋁、氧化鉿中的一種或多種；所述金屬氧化物膜層的厚度為50nm-300nm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長春理工大學，其通訊地址為：130000 吉林省長春市朝陽區衛星路7089號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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