買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜京東方華燦光電(浙江)有限公司申請的專利微型發光二極管芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114927602B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210194375.0，技術領域涉及：H10H20/841；該發明授權微型發光二極管芯片及其制備方法是由蘭葉;王江波;朱廣敏設計研發完成，并于2022-03-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本微型發光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種微型發光二極管芯片及其制備方法。該微型發光二極管芯片包括：外延結構和導光層；所述外延結構包括依次層疊的第一半導體層、多量子阱層和第二半導體層，所述導光層位于所述第二半導體層遠離所述第一半導體層的表面，所述外延結構遠離所述導光層的表面為出光面；所述導光層包括交替層疊的多層氧化鈦層和多層氧化硅層，所述氧化硅層內嵌有多個間隔分布的柱狀結構，所述柱狀結構沿垂直于所述出光面的方向延伸，所述柱狀結構的折射率與所述氧化硅層的折射率不同。本公開能改善芯片之間出現的光串擾的問題，減少側面出光比例，提升發光效果。

本發明授權微型發光二極管芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種微型發光二極管芯片，其特征在于，所述微型發光二極管芯片包括：外延結構1和導光層30；所述外延結構1包括依次層疊的第一半導體層11、多量子阱層12和第二半導體層13，所述導光層30位于所述第二半導體層13遠離所述第一半導體層11的表面，所述外延結構1遠離所述導光層30的表面為出光面；所述導光層30包括交替層疊的多層氧化鈦層32和多層氧化硅層31，所述氧化硅層31內嵌有多個間隔分布的柱狀結構33，所述柱狀結構33沿垂直于所述出光面的方向延伸，所述柱狀結構33的折射率與所述氧化硅層31的折射率不同；所述外延結構1的側壁在所述出光面所在平面的正投影位于所述出光面內，所述外延結構1的側壁設置有增透膜51，所述增透膜51覆蓋所述第一半導體層11的側壁、所述多量子阱層12的側壁和所述第二半導體層13的側壁，所述增透膜51遠離所述外延結構1的表面具有凸起52，所述凸起52的延伸方向與所述出光面垂直。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人京東方華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮蘇福路233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。