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龍圖騰網恭喜北京北方華創微電子裝備有限公司申請的專利工藝腔室、半導體工藝設備及工藝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115083964B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210761295.9，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權工藝腔室、半導體工藝設備及工藝方法是由蘭玥設計研發完成，并于2022-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本工藝腔室、半導體工藝設備及工藝方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種工藝腔室、半導體工藝設備及工藝方法，該工藝腔室包括：腔體，沿腔體的內壁周向環繞設置有環形的內襯組件，內襯組件的內環側設有沉積阻擋環，腔體的底部設有用于承載待加工基片且可升降的基座；內襯組件上沿內襯組件的周向設有多個貫穿內襯組件側壁的第一開孔；沉積阻擋環上沿沉積阻擋環的周向設有多個貫穿沉積阻擋環側壁的第二開孔；腔體的內側壁上沿腔體的周向設有與多個第一開孔相對的加熱燈組件；當基座帶動沉積阻擋環上升至第一工藝位時，第二開孔與第一開孔相互錯開；當基座帶動沉積阻擋環上升至第二工藝位時，第二開孔與第一開孔至少部分重疊，且第二工藝位高于第一工藝位。本發明能夠消除回流工藝中的滑片與碎片風險。

本發明授權工藝腔室、半導體工藝設備及工藝方法在權利要求書中公布了：1.一種用于半導體工藝設備的工藝腔室，其特征在于，包括：腔體，所述腔體內沿所述腔體的內壁周向環繞設置有環形的內襯組件，所述內襯組件的內環側設有沉積阻擋環，所述腔體的底部設有用于承載待加工基片且可升降的基座；所述內襯組件上沿所述內襯組件的周向設有多個貫穿所述內襯組件側壁的第一開孔；所述沉積阻擋環上沿所述沉積阻擋環的周向設有多個貫穿所述沉積阻擋環側壁的第二開孔；所述腔體的內側壁上沿所述腔體的周向設有與多個所述第一開孔相對的加熱燈組件；當所述基座帶動所述沉積阻擋環上升至第一工藝位時，所述第二開孔與所述第一開孔相互錯開；當所述基座帶動所述沉積阻擋環上升至第二工藝位時，所述第二開孔與所述第一開孔至少部分重疊，且所述第二工藝位高于所述第一工藝位。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京北方華創微電子裝備有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區文昌大道8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。