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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳大學(xué)申請(qǐng)的專利立體高集成MOS晶體管及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN118263252B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202410193571.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/85；該發(fā)明授權(quán)立體高集成MOS晶體管及其制備方法是由劉新科;林錦沛;黃燁瑩;蔣忠偉;黎曉華設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-02-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本立體高集成MOS晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了立體高集成MOS晶體管及其制備方法，其中，MOS晶體管包括：立體襯底、間隔設(shè)置于立體襯底的外表面的若干器件、覆蓋于器件表面和立體襯底表面的互聯(lián)介質(zhì)層；器件為PMOS管或NMOS管；互聯(lián)介質(zhì)層至少內(nèi)部固定有若干互聯(lián)金屬，各器件的漏極之間、各器件的源極之間以及各器件的柵極之間通過各互聯(lián)金屬意義對(duì)應(yīng)連接。本發(fā)明中的MOS晶體管，通過改進(jìn)襯底的結(jié)構(gòu)，有效解決了MOS晶體管的散熱問題，增大了MOS晶體管的集成度，充分提高了MOS晶體管的功率密度和電流密度，使大功率的MOS晶體管能夠應(yīng)用于更廣泛的場(chǎng)景。

本發(fā)明授權(quán)立體高集成MOS晶體管及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.立體高集成MOS晶體管，其特征在于，包括：立體襯底、間隔設(shè)置于所述立體襯底的外表面的若干器件、覆蓋于所述器件表面和所述立體襯底表面的互聯(lián)介質(zhì)層；所述器件為PMOS管或NMOS管；所述互聯(lián)介質(zhì)層至少內(nèi)部固定有若干互聯(lián)金屬，各所述器件的漏極之間、各所述器件的源極之間以及各所述器件的柵極之間通過各所述互聯(lián)金屬一一對(duì)應(yīng)連接；其中，所述互聯(lián)介質(zhì)層為多層，并且各所述器件的漏極之間的互聯(lián)金屬、各所述器件的源極之間的互聯(lián)金屬及各所述器件的柵極之間的互聯(lián)金屬互不接觸和交叉；所述立體襯底呈球體狀，所述球體直徑為50~60μm；或，所述立體襯底呈多面體狀，所述多面體對(duì)應(yīng)的外接球直徑為50~60μm；或，所述立體襯底呈圓柱體狀，所述圓柱體的直徑為50~60μm，高度為50~60μm。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人深圳大學(xué)，其通訊地址為：518060 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道南海大道3688號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。