恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司蘇博獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112802736B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-24發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911113636.6，技術領域涉及：H01L21/033；該發明授權半導體結構及其形成方法是由蘇博;鄭二虎;王彥;張海洋設計研發完成，并于2019-11-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供待刻蝕層；在所述待刻蝕層上形成初始犧牲層；對所述初始犧牲層的側壁進行改性處理工藝，在所述初始犧牲層的側壁形成過渡層；去除所述過渡層，形成犧牲層。所述形成方法減小了犧牲層的側壁粗糙度。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蝕層； 在所述待刻蝕層上形成初始犧牲層； 對所述初始犧牲層的側壁進行改性處理工藝，在所述初始犧牲層的側壁形成過渡層，所述改性處理工藝為等離子體轟擊所述初始犧牲層的側壁以形成所述過渡層，所述過渡層的材料具有氫氧鍵； 去除包含所述側壁表面粗糙部分的所述過渡層，形成犧牲層，所述去除過渡層的工藝為濕法清洗工藝，所述濕法清洗工藝所使用的溶液為酸性溶液。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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