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龍圖騰網(wǎng)恭喜武漢國科光領(lǐng)半導(dǎo)體科技有限公司申請的專利一種電吸收調(diào)制激光器芯片及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119134046B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411279578.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/343；該發(fā)明授權(quán)一種電吸收調(diào)制激光器芯片及其制作方法是由趙自闖;蔣晨龍設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-09-12向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種電吸收調(diào)制激光器芯片及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種電吸收調(diào)制激光器芯片及其制作方法，涉及半導(dǎo)體器件的技術(shù)領(lǐng)域，該芯片包括襯底、調(diào)制器層、無源波導(dǎo)層、激光器層、放大器層、包層和接觸層，調(diào)制器層設(shè)置在襯底的調(diào)制器區(qū)，無源波導(dǎo)層通過對接生長的方式設(shè)置在激光器層與調(diào)制器層之間的間隔區(qū)，以及調(diào)制器層另一側(cè)的放大器區(qū)，激光器層通過對接生長的方式設(shè)置在間隔區(qū)無源波導(dǎo)層一側(cè)的激光器區(qū)，放大器層設(shè)置在放大器區(qū)無源波導(dǎo)層的上方，包層及接觸層依次設(shè)置在功能層上方，對接生長過程中使用掩膜覆蓋特定區(qū)域，生長后去除掩膜；本申請中的技術(shù)方案能夠在簡化制作步驟的同時，將放大器區(qū)的有源增益材料制作于無源波導(dǎo)材料之上，減小光信號損耗，提高芯片飽和光輸出功率。

本發(fā)明授權(quán)一種電吸收調(diào)制激光器芯片及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種電吸收調(diào)制激光器芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步驟1，在襯底10上劃分出調(diào)制器區(qū)、放大器區(qū)、激光器區(qū)及間隔區(qū)，放大器區(qū)與激光器區(qū)位于調(diào)制器區(qū)兩側(cè)，間隔區(qū)位于激光器區(qū)與調(diào)制器區(qū)之間；步驟2，在所述襯底10上生長調(diào)制器材料，使用掩膜覆蓋調(diào)制器區(qū)的調(diào)制器材料，選擇性去除其他區(qū)域的調(diào)制器材料，形成調(diào)制器層30；步驟3，在調(diào)制器層30兩側(cè)對接生長無源波導(dǎo)材料，并去除掩膜；步驟4，使用掩膜覆蓋調(diào)制器層30及間隔區(qū)的無源波導(dǎo)材料，選擇性去除激光器區(qū)的無源波導(dǎo)材料，形成無源波導(dǎo)層40，其中，無源波導(dǎo)層40位于調(diào)制器層30一側(cè)的間隔區(qū)，以及調(diào)制器層30另一側(cè)的放大器區(qū)；步驟5，在間隔區(qū)無源波導(dǎo)層40一側(cè)的激光器區(qū)以及放大器區(qū)無源波導(dǎo)層40上方對接生長有源材料層，分別形成激光器層50及放大器層60，去除掩膜；步驟6，在激光器層50上制作光柵51，然后在各個功能層上方依次生長包層70及接觸層80。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人武漢國科光領(lǐng)半導(dǎo)體科技有限公司，其通訊地址為：430200 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)流芳園橫路1號楚天傳媒生產(chǎn)基地二期1號樓1-2層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。