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龍圖騰網(wǎng)恭喜江蘇首芯半導(dǎo)體科技有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種原子層沉積設(shè)備獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN118957540B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202411452570.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/455；該發(fā)明授權(quán)一種原子層沉積設(shè)備是由張俊;李繼剛;周緯;朱順利設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-10-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種原子層沉積設(shè)備在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種原子層沉積設(shè)備，包括：腔體；基座，所述基座設(shè)置于所述腔體，用于承載待加工晶圓；氣體噴淋頭，所述氣體噴淋頭設(shè)置于所述基座上方，用于向腔體內(nèi)通入工藝氣體，所述氣體噴淋頭和所述基座之間形成工藝區(qū)域；密封組件，所述密封組件被配置為能夠上下移動(dòng)，從而在部分工藝時(shí)段形成密封的工藝區(qū)域。本發(fā)明的原子層沉積設(shè)備設(shè)置了密封組件，在部分工藝時(shí)段形成了封閉反應(yīng)空間，提高反應(yīng)空間內(nèi)的氣體的壓強(qiáng)，從而縮短飽和反應(yīng)時(shí)間，同時(shí)可以減少反應(yīng)氣體的無(wú)效消耗，降低成本。

本發(fā)明授權(quán)一種原子層沉積設(shè)備在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種原子層沉積設(shè)備，其特征在于，包括：腔體；基座，所述基座設(shè)置于所述腔體內(nèi)，用于承載待加工晶圓；氣體噴淋頭，所述氣體噴淋頭設(shè)置于所述基座上方，用于向腔體內(nèi)通入工藝氣體，所述氣體噴淋頭和所述基座之間形成工藝區(qū)域；密封組件，所述密封組件被配置為能夠上下移動(dòng)，從而在部分工藝時(shí)段形成密封的工藝區(qū)域；所述部分工藝時(shí)段為原子層沉積工藝向所述腔體內(nèi)通入第一前驅(qū)體或第二前驅(qū)體的時(shí)段；所述密封組件包括升降環(huán)，所述升降環(huán)被配置為圍繞所述工藝區(qū)域設(shè)置，并能夠相對(duì)于所述工藝區(qū)域上下移動(dòng)；所述升降環(huán)被配置為與所述基座連接，并能夠相對(duì)所述基座上下移動(dòng)，在部分工藝時(shí)段，所述升降環(huán)的上端能夠移動(dòng)至所述氣體噴淋頭的下表面，從而形成密封的工藝區(qū)域；所述氣體噴淋頭的下表面設(shè)置環(huán)形槽，所述環(huán)形槽與所述升降環(huán)的上端配合；所述升降環(huán)的內(nèi)側(cè)面設(shè)置第一密封結(jié)構(gòu)，所述第一密封結(jié)構(gòu)為第一橫向環(huán)，所述第一密封結(jié)構(gòu)在部分工藝時(shí)段，形成密封的工藝區(qū)域時(shí)，所述第一密封結(jié)構(gòu)到達(dá)所述基座的下表面。

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