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龍圖騰網恭喜恩納基智能裝備(無錫)股份有限公司申請的專利一種晶圓取片過程中的自適應誤差校正方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119742265B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510252418.X，技術領域涉及：H01L21/68；該發明授權一種晶圓取片過程中的自適應誤差校正方法是由請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名設計研發完成，并于2025-03-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種晶圓取片過程中的自適應誤差校正方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種晶圓取片過程中的自適應誤差校正方法，利用相機模組實現晶圓取片過程中參數數據的采集操作，并利用吸片貼裝模組實現對晶圓的取片操作，本發明涉及晶圓貼裝技術領域。該晶圓取片過程中的自適應誤差校正方法，通過接收采集的數據并進行初步處理，通過設備參數建立誤差補償模型，而后將處理后的數據引入至誤差補償模型進行分析操作，結合貼裝模組的運行誤差和相機模組受溫度影響的定位誤差，得出對貼裝模組制動和相機焊頭中心基準的調整結果數據，以此實現每次取片過程中的自適應誤差校正調節操作，保障晶圓在取片過程中的完整性和準確性，使得取片操作能夠在更短的時間內完成，提高了晶圓加工生產線的整體效率。

本發明授權一種晶圓取片過程中的自適應誤差校正方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓取片過程中的自適應誤差校正方法，其特征在于：具體包括以下步驟：A1、利用相機模組實現晶圓取片過程中參數數據的采集操作，并利用吸片貼裝模組實現對晶圓的取片操作，且實現運行參數的傳輸，而相機模組與貼裝模組保持同步的移動；A2、接收采集的數據并進行初步處理，通過設備參數建立誤差補償模型，而后將處理后的數據引入至誤差補償模型進行分析操作，結合貼裝模組的運行誤差和相機模組受溫度影響的定位誤差，得出對貼裝模組制動和相機焊頭中心基準的調整結果數據；A3、依據結果數據產生校正指令傳輸至相機模組和吸取貼裝模組實現調節操作，通過調節工作時的溫度重復計算不同溫度下的誤差，實現應用時的預測調節，并且操作產生的數據通過顯示面板展示；所述A2中誤差補償模型進行分析操作的步驟為：C1、將運行參數數據集和圖像數據集引入誤差補償模型進行分析；C2、實現對第一次晶圓取片貼裝后的回程操作，并對回程定位時的相機采集圖像進行分析；C3、通過對吸片貼裝模組的運行軌跡進行記錄，并對產生的運行誤差進行計算；C4、基于誤差計算的數值結果形成補償指令實現對相機模組和吸取貼裝模組的校正操作；所述C2中對回程定位的采集圖像進行分析操作為：c21、將采集的圖像數據進行灰度化處理，而后依據灰度值實現圖像數據中的特征部分進行劃分操作；c22、先提取上一片芯片焊接并送出后的焊頭特征，然后提取下一片芯片吸取到待焊接位置后的芯片特征，對焊頭特征和芯片特征的中心坐標比對，確定總誤差數值；所述c22中實現芯片特征和焊頭特征的坐標比對操作為：D1、以焊頭特征的中心位置為坐標中心，以焊頭特征的左右側方向建立X軸，并以焊頭特征的建立X軸前后側方向建立Y軸；D2、對芯片特征的四個角點處進行交叉連線，且連線的交叉點即為芯片特征的中心點，且中心點位于D1操作中的X-Y坐標系中并標為Q坐標為（x1，y1），且中心點Q位于X-Y坐標系的第三象限區域；D3、且中心點Q距離焊頭特征中心的左右側方向偏差距離為|x1|，中心點Q距離焊頭特征中心的前后側方向偏差距離為|y1|，而左右側方向偏差距離和前后側方向偏差距離包含了焊頭特征中心位置受外界因素影響的偏差以及運行操作中的慣性偏差。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人恩納基智能裝備(無錫)股份有限公司，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市梁溪區金山北科技產業園C1-8；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。