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龍圖騰網恭喜深圳幀觀德芯科技有限公司申請的專利半導體輻射檢測器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113260880B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980087442.5，技術領域涉及：G01T1/24；該發明授權半導體輻射檢測器是由曹培炎;劉雨潤設計研發完成，并于2019-01-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體輻射檢測器在說明書摘要公布了：本文公開一種輻射檢測器100，其包括：包括第一組電觸點118A和第二組電觸點118B的電子器件層120；被配置為吸收輻射的輻射吸收層110；第一組電極119A和第二組電極119B，其中所述第一組電極119A和第二組電極119B相互交叉并且沿其厚度方向延伸到所述輻射吸收層110中；其中所述電子器件層120和所述輻射吸收層110被結合，使得所述第一組電極119A被電連接到所述第一組電觸點118A，并且所述第二組電極119B被電連接到所述第二組電觸點118B。

本發明授權半導體輻射檢測器在權利要求書中公布了：1.一種輻射檢測器，其包括：包括第一組電觸點和第二組電觸點的電子器件層；被配置為吸收輻射的輻射吸收層；第一組電極和第二組電極，其中所述第一組電極和第二組電極相互交叉并且沿其厚度方向延伸到所述輻射吸收層中；其中所述電子器件層和所述輻射吸收層被結合，使得所述第一組電極被電連接到所述第一組電觸點，并且所述第二組電極被電連接到所述第二組電觸點，所述輻射檢測器進一步包括在遠離所述電子器件層的所述輻射吸收層的表面處的絕緣層；其中所述第一組電極和所述第二組電極被連接到所述絕緣層，其中所述第一組電極中的一個電極與所述第二組電極中的最鄰近電極之間的距離不超過2λ，其中，λ是所述輻射吸收層中載流子的平均自由程，其中所述電子器件層包括多個電壓源和多個電子系統，所述多個電壓源向所述第一組電觸點分別提供非零電壓，所述多個電子系統與所述第二組電觸點分別連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳幀觀德芯科技有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區招商街道沿山社區南海大道1019號南山醫療器械產業園A、B座B507；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。