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龍圖騰網(wǎng)恭喜長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112885728B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911201825.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)是由錢仕兵設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-11-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，用于在測試MOS器件的柵電容時作為柵電極的引出端與外部測試結(jié)構(gòu)連接。所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)包括襯底，所述襯底上設(shè)有待測試的MOS器件；焊盤，用于連接外部測試結(jié)構(gòu)；頂層金屬層，與所述焊盤和待測試的MOS器件的柵電極均連接；底層金屬層，所述底層金屬層與所述襯底、焊盤和頂層金屬層均不互連。本發(fā)明的技術(shù)方案通過串聯(lián)連接多個寄生電容的方法，減小了與柵電容并聯(lián)連接的總寄生電容，從而降低了總寄生電容對柵電容測試結(jié)果的影響，獲得了準(zhǔn)確的柵電容測試結(jié)果。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，用于在測試MOS器件的柵電容時作為柵電極的引出端與外部測試結(jié)構(gòu)連接，其特征在于，所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)包括： 襯底，所述襯底上設(shè)有待測試的MOS器件，所述MOS器件包括柵電極和柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層材料為高K的金屬氧化物； 焊盤，用于連接外部測試結(jié)構(gòu)； 頂層金屬層，與所述焊盤和待測試的MOS器件的柵電極均連接； 底層金屬層，與所述柵電極、焊盤和頂層金屬層均不互連，所述底層金屬層與所述襯底之間以及所述底層金屬層與所述頂層金屬層之間形成了串聯(lián)的寄生電容。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人長鑫存儲技術(shù)有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)翠微路6號海恒大廈630室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。