臺灣積體電路制造股份有限公司高琬貽獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113206043B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011204985.1，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體器件及方法是由高琬貽;張哲豪;盧永誠;徐志安設計研發完成，并于2020-11-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件及方法。一種方法包括：形成從襯底延伸的鰭；沿鰭的相對側壁形成第一隔離區域；在鰭之上形成柵極結構；在鰭中與柵極結構相鄰地形成外延源極漏極區域；在外延源極漏極區域之上和柵極結構之上形成蝕刻停止層；在蝕刻停止層之上形成保護層，該保護層包括氮氧化硅；以及在保護層之上形成第二隔離材料，其中形成第二隔離材料降低了保護層的氮濃度。
本發明授權半導體器件及方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，包括：形成從襯底延伸的鰭；沿著所述鰭的相對側壁形成第一隔離區域；在所述鰭之上形成虛設柵極結構；在所述鰭中與所述虛設柵極結構相鄰地形成外延源極漏極區域；在所述外延源極漏極區域之上和所述虛設柵極結構之上形成蝕刻停止層；在所述蝕刻停止層之上形成保護層，所述保護層包括氮氧化硅；在所述保護層之上形成第二隔離材料，其中，形成所述第二隔離材料包括執行退火工藝，所述退火工藝降低了所述保護層的氮濃度，其中，所述退火工藝包括控制退火溫度或退火持續時間，使得所述保護層中的氮濃度降低至少百分之八十；以及在執行所述退火工藝之后，用替換柵極結構來替換所述虛設柵極結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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