恭喜中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司林鍾吉獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司申請的專利光刻膠涂布方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114967346B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110205894.8，技術領域涉及：G03F7/16；該發明授權光刻膠涂布方法是由林鍾吉;金在植;張成根;金成昱;梁賢石;賀曉彬;劉強;楊濤;李俊峰;王文武設計研發完成，并于2021-02-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本光刻膠涂布方法在說明書摘要公布了：本申請屬于半導體加工技術領域，具體涉及一種光刻膠涂布方法，光刻膠涂布方法包括：將半導體晶圓放置在裝載臺上并使半導體晶圓的圓心位于光刻膠噴嘴的正下方；控制裝載臺帶動半導體晶圓旋轉，控制光刻膠噴嘴向半導體晶圓的圓心處噴涂光刻膠；控制光刻膠噴嘴的噴涂速率逐漸增加，且當光刻膠噴嘴的噴涂速率達到第一預設值后，控制光刻膠噴嘴的噴涂速率逐漸減小直到半導體晶圓完成噴涂。根據本申請的光刻膠涂布方法，由于半導體晶圓的噴涂初期需要大量的光刻膠，而隨著半導體晶圓上被噴涂面積的增加，需要的光刻膠量逐漸減小，本申請通過合理的控制光刻膠噴嘴的噴涂速率，以此減少光刻膠的浪費量。
本發明授權光刻膠涂布方法在權利要求書中公布了：1.一種光刻膠涂布方法，其特征在于，所述光刻膠涂布方法包括：將半導體晶圓放置在裝載臺上并使所述半導體晶圓的圓心位于光刻膠噴嘴的正下方；控制所述裝載臺帶動所述半導體晶圓旋轉，控制所述光刻膠噴嘴向所述半導體晶圓的圓心處噴涂光刻膠；控制所述光刻膠噴嘴的噴涂速率逐漸增加，且當所述光刻膠噴嘴的噴涂速率達到第一預設值后，控制所述光刻膠噴嘴的噴涂速率逐漸減小直到所述半導體晶圓完成噴涂。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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