恭喜東南大學于虹獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜東南大學申請的專利一種基于負微分電阻效應的超材料太赫茲調制器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114883807B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210538381.3，技術領域涉及：H01Q15/00；該發明授權一種基于負微分電阻效應的超材料太赫茲調制器是由于虹;陳穎設計研發完成，并于2022-05-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于負微分電阻效應的超材料太赫茲調制器在說明書摘要公布了：本發明提供了一種基于負微分電阻效應的超材料太赫茲調制器，屬于太赫茲技術領域，調制器的結構包括超材料層、襯底層、金屬板和金屬電極；超材料層由周期性陣列結構組成，結構單元通過金走線與一個金屬電極進行電連接，襯底層為具有負微分電阻效應的Ⅲ?Ⅴ族半導體，金屬板作為另一個金屬電極；通過在兩個電極上施加高偏置電壓，在半導體襯底內部產生強縱向電場，引起半導體材料的負微分電阻效應，改變半導體襯底的材料性質，從而調制此器件的諧振頻率和諧振強度，形成了一種電壓可調的主動太赫茲超材料器件，為實現主動超材料太赫茲器件提供了一種全新的思路。
本發明授權一種基于負微分電阻效應的超材料太赫茲調制器在權利要求書中公布了：1.一種基于負微分電阻效應的超材料太赫茲調制器，其特征在于，該太赫茲調制器包括超材料層、襯底層、金屬板和金屬電極；在襯底層（4）的下面為第一高摻雜半導體層（6），在第一高摻雜半導體層（6）的下面為金屬板（5），在襯底層（4）的上面為第二高摻雜半導體層（7），在第二高摻雜半導體層（7）的上面為金屬電極（1）和超材料層包括結構單元（2）、金屬走線（3）；所述超材料層包括周期性排列的結構單元（2），各個結構單元（2）通過金屬走線（3）縱向連接以及通過金屬走線（3）與金屬電極（1）相連進行電連接；所述襯底層（4）為Ⅲ-Ⅴ族半導體，為具有負微分電阻效應的半導體材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東南大學，其通訊地址為：211102 江蘇省南京市江寧區東南大學路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號