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龍圖騰網恭喜北京天科合達半導體股份有限公司申請的專利一種大尺寸碳化硅襯底及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116024664B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211663903.9，技術領域涉及：C30B29/36；該發明授權一種大尺寸碳化硅襯底及其制備方法是由劉春俊;眭旭;郭鈺;彭同華;楊建設計研發完成，并于2022-12-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種大尺寸碳化硅襯底及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種大尺寸碳化硅襯底，所述碳化硅襯底的厚度小于400微米，彎曲度bow值不大于?1微米，且滿足Y＝?AX，其中，X為厚度，Y為彎曲度bow值，A為300～8000，warp值不大于bow值絕對值的3倍。與現有技術相比，本發明一方面可提供更薄厚度的襯底，從而增加同等厚度SiC晶體產出晶片的數量，降低成本；另一方面，通過特定的幾何外形及結晶的原子面彎曲保證下游外延、器件對晶片制作過程中的要求；第三方面提供低厚度襯底同時外形翹曲變化可以滿足整個產業鏈的要求，也極大降低器件環節的減薄成本。

本發明授權一種大尺寸碳化硅襯底及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種大尺寸碳化硅襯底的制備方法，其特征在于，包括：S1）將碳化硅晶體通過切割或剝離得到碳化硅晶片；S2）將所述碳化硅晶片進行退火處理，得到退火處理后的晶片；S3）采用凸形吸盤吸附退火處理后的晶片的第二表面，然后對退火處理后的晶片的第一表面進行單面研磨，得到單面研磨的晶片；S4）將所述單面研磨的晶片進行退火處理，得到單面處理的晶片；S5）采用表面平整的吸盤吸附單面處理的晶片的第一表面，然后對單面處理的晶片的第二表面進行研磨，得到研磨的晶片；S6）將所述研磨的晶片進行退火處理，得到雙面處理的晶片；S7）將所述雙面處理的晶片的第一表面進行化學機械拋光，得到大尺寸碳化硅襯底；所述碳化硅襯底的彎曲度bow值不大于-1微米，且滿足Y=-AX，其中，X為厚度，Y為彎曲度bow值，warp值不大于bow值絕對值的3倍；所述碳化硅襯底的尺寸為6英寸，碳化硅襯底的厚度小于300微米，A為300~4000；或者，所述碳化硅襯底的尺寸為8英寸，碳化硅襯底的厚度小于400微米，A為400~8000；所述步驟S2）、步驟S4）與步驟S6）中退火處理的溫度各自獨立地為1000℃~1500℃；所述步驟S2）、步驟S4）與步驟S6）中退火處理的升溫段的時間各自獨立地為1.5~2.5h，高溫段保持的時間各自獨立地為4~6h；所述步驟S3）中凸形吸盤的中心凸出5~40μm，且所述凸形吸盤的直徑大于碳化硅晶片的直徑；所述吸附的真空壓為-20~-120kPa。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京天科合達半導體股份有限公司，其通訊地址為：102600 北京市大興區中關村科技園區大興生物醫藥產業基地天榮大街9號2幢301室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。