買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜半導體元件工業有限責任公司申請的專利SIC MOSFET半導體封裝件及相關方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110931446B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910861400.4，技術領域涉及：H01L23/495；該發明授權SIC MOSFET半導體封裝件及相關方法是由M·C·艾斯達西歐;J·蒂薩艾爾;E·A·卡巴雨歌設計研發完成，并于2019-09-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本SIC MOSFET半導體封裝件及相關方法在說明書摘要公布了：本發明題為“SICMOSFET半導體封裝件及相關方法”。本發明公開了一種半導體封裝件。半導體封裝件的具體實施方式可以包括：一個或多個半導體管芯，該一個或多個半導體管芯耦接在基架和夾具之間，該基架包括與一個或多個半導體管芯的柵極焊盤耦接的基架的柵極焊盤以及與一個或多個半導體管芯的源極焊盤耦接的基架的源極焊盤，其中基架的柵極焊盤延伸超出一個或多個半導體管芯的周邊。

本發明授權SIC MOSFET半導體封裝件及相關方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝件，包括：第一半導體管芯，所述第一半導體管芯耦接在基架和夾具之間；以及第二半導體管芯，所述第二半導體管芯耦接在所述基架和所述夾具之間，所述基架包括：所述基架的第一柵極焊盤，所述基架的所述第一柵極焊盤與所述第一半導體管芯的柵極焊盤耦接；和所述基架的第二柵極焊盤，所述基架的所述第二柵極焊盤與所述第二半導體管芯的柵極焊盤耦接；所述基架的第一源極焊盤，所述基架的所述第一源極焊盤與所述第一半導體管芯的源極焊盤耦接；和所述基架的第二源極焊盤，所述基架的所述第二源極焊盤與所述第二半導體管芯的源極焊盤耦接；其中所述基架的所述第一源極焊盤朝向所述第一半導體管芯的所述柵極焊盤延伸超出所述第一半導體管芯的所述源極焊盤的周邊；其中所述基架的所述第二源極焊盤朝向所述第二半導體管芯的所述柵極焊盤延伸超出所述第二半導體管芯的所述源極焊盤的周邊；其中所述第一半導體管芯的所述柵極焊盤延伸超出所述基架的所述第一柵極焊盤的周邊；其中所述第二半導體管芯的所述柵極焊盤延伸超出所述基架的所述第二柵極焊盤的周邊；其中所述基架的所述第一柵極焊盤延伸超出所述第一半導體管芯的周邊；并且其中所述基架的所述第二柵極焊盤延伸超出所述第二半導體管芯的周邊。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人半導體元件工業有限責任公司，其通訊地址為：美國亞利桑那；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。