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龍圖騰網(wǎng)恭喜半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利SIC MOSFET半導(dǎo)體封裝件及相關(guān)方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110931446B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910861400.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/495；該發(fā)明授權(quán)SIC MOSFET半導(dǎo)體封裝件及相關(guān)方法是由M·C·艾斯達(dá)西歐;J·蒂薩艾爾;E·A·卡巴雨歌設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-09-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本SIC MOSFET半導(dǎo)體封裝件及相關(guān)方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明題為“SICMOSFET半導(dǎo)體封裝件及相關(guān)方法”。本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件的具體實(shí)施方式可以包括：一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體管芯，該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體管芯耦接在基架和夾具之間，該基架包括與一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體管芯的柵極焊盤耦接的基架的柵極焊盤以及與一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體管芯的源極焊盤耦接的基架的源極焊盤，其中基架的柵極焊盤延伸超出一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體管芯的周邊。

本發(fā)明授權(quán)SIC MOSFET半導(dǎo)體封裝件及相關(guān)方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：第一半導(dǎo)體管芯，所述第一半導(dǎo)體管芯耦接在基架和夾具之間；以及第二半導(dǎo)體管芯，所述第二半導(dǎo)體管芯耦接在所述基架和所述夾具之間，所述基架包括：所述基架的第一柵極焊盤，所述基架的所述第一柵極焊盤與所述第一半導(dǎo)體管芯的柵極焊盤耦接；和所述基架的第二柵極焊盤，所述基架的所述第二柵極焊盤與所述第二半導(dǎo)體管芯的柵極焊盤耦接；所述基架的第一源極焊盤，所述基架的所述第一源極焊盤與所述第一半導(dǎo)體管芯的源極焊盤耦接；和所述基架的第二源極焊盤，所述基架的所述第二源極焊盤與所述第二半導(dǎo)體管芯的源極焊盤耦接；其中所述基架的所述第一源極焊盤朝向所述第一半導(dǎo)體管芯的所述柵極焊盤延伸超出所述第一半導(dǎo)體管芯的所述源極焊盤的周邊；其中所述基架的所述第二源極焊盤朝向所述第二半導(dǎo)體管芯的所述柵極焊盤延伸超出所述第二半導(dǎo)體管芯的所述源極焊盤的周邊；其中所述第一半導(dǎo)體管芯的所述柵極焊盤延伸超出所述基架的所述第一柵極焊盤的周邊；其中所述第二半導(dǎo)體管芯的所述柵極焊盤延伸超出所述基架的所述第二柵極焊盤的周邊；其中所述基架的所述第一柵極焊盤延伸超出所述第一半導(dǎo)體管芯的周邊；并且其中所述基架的所述第二柵極焊盤延伸超出所述第二半導(dǎo)體管芯的周邊。

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