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龍圖騰網(wǎng)獲悉派恩杰半導(dǎo)體(浙江)有限公司申請(qǐng)的專利一種具有相同柵源摻雜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管、元胞結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111933698B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010725690.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)一種具有相同柵源摻雜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管、元胞結(jié)構(gòu)是由黃興;陳欣璐;陳然設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-07-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種具有相同柵源摻雜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管、元胞結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種具有相同柵源摻雜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管、元胞結(jié)構(gòu)，其中元胞結(jié)構(gòu)包括：碳化硅襯底，該碳化硅襯底材料的摻雜類型為第一導(dǎo)電類型，在碳化硅襯底的正面和背面分別設(shè)有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層和第一電極；在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層上依次設(shè)置有第二導(dǎo)電類型懸浮區(qū)、第一導(dǎo)電類型柵極注入?yún)^(qū)、第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)，柵極注入?yún)^(qū)上設(shè)置有柵極，源極注入?yún)^(qū)上設(shè)置有源極，柵極注入?yún)^(qū)和源極注入?yún)^(qū)之間設(shè)置有極間介質(zhì)，所述極間介質(zhì)用于對(duì)柵極和源極進(jìn)行隔離，其中所述第二導(dǎo)電類型懸浮區(qū)與第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)的接觸部與第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)相同，且都設(shè)置為具有終端尖角。

本發(fā)明授權(quán)一種具有相同柵源摻雜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管、元胞結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有相同柵源摻雜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：碳化硅襯底001，該碳化硅襯底材料的摻雜類型為第一導(dǎo)電類型，在碳化硅襯底001的正面和背面分別設(shè)有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層002和第一電極003；在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層002上依次設(shè)置有第二導(dǎo)電類型懸浮區(qū)005、第一導(dǎo)電類型柵極注入?yún)^(qū)006、第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)007，第一導(dǎo)電類型柵極注入?yún)^(qū)006上設(shè)置有柵極008，第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)上設(shè)置有源極009，第一導(dǎo)電類型柵極注入?yún)^(qū)006和第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)007之間設(shè)置有極間介質(zhì)010，所述極間介質(zhì)010用于對(duì)柵極008和源極009進(jìn)行隔離，其中所述第二導(dǎo)電類型懸浮區(qū)005與第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)007的接觸部與第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)007結(jié)構(gòu)相同，且都設(shè)置為具有終端尖角，所述終端尖角為0～180度；元胞一側(cè)的第一導(dǎo)電類型柵極注入?yún)^(qū)006與柵極008連接，元胞另一側(cè)的第一導(dǎo)電類型柵極注入?yún)^(qū)006和第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)007共同連到源極009。

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