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龍圖騰網(wǎng)獲悉長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利失效圖形的獲取方法和獲取裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114004778B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010730179.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06T7/00；該發(fā)明授權(quán)失效圖形的獲取方法和獲取裝置是由林家圣設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-07-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本失效圖形的獲取方法和獲取裝置在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種失效圖形的獲取方法和獲取裝置，其中失效圖形的獲取方法，包括：包括：獲得一晶圓內(nèi)的芯片測(cè)試結(jié)果圖像，所述芯片測(cè)試結(jié)果圖像中標(biāo)記有若干失效測(cè)試點(diǎn)；計(jì)算所有失效測(cè)試點(diǎn)間每?jī)牲c(diǎn)的向量；將具有相同向量的若干失效測(cè)試點(diǎn)定為同一群體；從每一個(gè)群體中分出若干種待定失效圖形；基于所述若干種待定失效圖形獲得失效圖形。通過(guò)前述步驟可以準(zhǔn)確和快速的獲得失效圖形，所述失效圖形用于判斷測(cè)試機(jī)臺(tái)是否存在問(wèn)題，如果獲得了失效圖形，則可判斷所述測(cè)試機(jī)臺(tái)的測(cè)試環(huán)境存在問(wèn)題，從而測(cè)試人員可以對(duì)測(cè)試機(jī)臺(tái)的測(cè)試環(huán)境比如對(duì)測(cè)試程序進(jìn)行修改進(jìn)行調(diào)整，從而防止測(cè)試機(jī)臺(tái)誤檢測(cè)的發(fā)生，提高電學(xué)測(cè)試的準(zhǔn)確性。

本發(fā)明授權(quán)失效圖形的獲取方法和獲取裝置在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種失效圖形的獲取方法，其特征在于，包括：獲得一晶圓內(nèi)的芯片測(cè)試結(jié)果圖像，所述芯片測(cè)試結(jié)果圖像中標(biāo)記有若干失效測(cè)試點(diǎn)；所述晶圓內(nèi)具有若干芯片，每一個(gè)所述芯片具有若干內(nèi)存地址，一個(gè)所述芯片對(duì)應(yīng)具有一個(gè)芯片測(cè)試結(jié)果圖像；所述芯片測(cè)試結(jié)果圖像獲得過(guò)程為：對(duì)芯片中的每一個(gè)內(nèi)存地址進(jìn)行電學(xué)性能測(cè)試，獲得若干電學(xué)測(cè)試結(jié)果；將若干電學(xué)測(cè)試結(jié)果根據(jù)內(nèi)存地址排布獲得的行列排布圖像，前述獲得的圖像為芯片測(cè)試結(jié)果圖像，所述芯片測(cè)試結(jié)果圖像中的一個(gè)所述失效測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)一個(gè)內(nèi)存地址；計(jì)算所有失效測(cè)試點(diǎn)間每?jī)牲c(diǎn)的向量；將具有相同向量的若干失效測(cè)試點(diǎn)定為同一群體；從每一個(gè)群體中分出若干種待定失效圖形；基于所述若干種待定失效圖形獲得失效圖形。

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