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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州培風圖南半導體有限公司申請的專利可尋址測試陣列獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115327333B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210962772.8，技術領域涉及：G01R31/26；該發(fā)明授權(quán)可尋址測試陣列是由林曦;沈忱;伍宏設計研發(fā)完成，并于2022-08-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本可尋址測試陣列在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種可尋址測試陣列，用于解決測試結(jié)構(gòu)面積和測試過程時間利用率低的問題，其包括多個可尋址控制開閉的低漏電開關，低漏電開關包括：第一MOS管，其漏端連接至漏端電壓信號線；第二MOS管，其漏端連接至信號保護通路，信號保護通路被配置為與漏端電壓信號線上的電壓相等；第一MOS管和第二MOS管的阱端電壓被配置為與信號保護通路上的電壓相等，第一MOS管和第二MOS管的源端互連；每個低漏電開關被配置為：在第一MOS管的柵端加載第一壓控信號以使其導通、且在第二MOS管的柵端加載第二壓控信號以使其關閉時，低漏電開關導通；在第一MOS管的柵端加載第一壓控信號以使其關閉、且在第二MOS管的柵端加載第二壓控信號以使其導通時，低漏電開關斷開。

本發(fā)明授權(quán)可尋址測試陣列在權(quán)利要求書中公布了：1.一種可尋址測試陣列，用于多個待測器件的測試，其特征在于，包括多個可尋址控制開閉的低漏電開關，每個所述低漏電開關包括：第一MOS管，所述第一MOS管的漏端連接至漏端電壓信號線；第二MOS管，所述第二MOS管的漏端連接至第一信號保護通路，所述第一信號保護通路被配置為與漏端電壓信號線上的電壓相等；其中，所述第一MOS管和第二MOS管的阱端電壓被配置為與所述第一信號保護通路上的電壓相等，所述第一MOS管和第二MOS管的源端互連并用于連接待測器件；每個所述低漏電開關被配置為：在所述第一MOS管的柵端加載第一壓控信號以使所述第一MOS管導通、且在所述第二MOS管的柵端加載第二壓控信號以使所述第二MOS管關閉時，所述低漏電開關導通；在所述第一MOS管的柵端加載第一壓控信號以使所述第一MOS管關閉、且在所述第二MOS管的柵端加載第二壓控信號以使所述第二MOS管導通時，所述低漏電開關斷開。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘇州培風圖南半導體有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道1355號國際科技園141單元；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。