恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司張前江獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112542381B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910892724.4，技術領域涉及：H01L21/306；該發明授權半導體結構及其形成方法是由張前江;蘇波;竇濤;孫林林設計研發完成，并于2019-09-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，包括：提供待刻蝕層；在所述待刻蝕層上形成初始掩膜層；在初始掩膜層上形成暴露出部分初始掩膜層的圖形化結構；在圖形化結構側壁表面形成阻擋層；以圖形化結構和阻擋層為掩膜，對初始掩膜層進行離子摻雜處理，在初始掩膜層內形成摻雜區與未摻雜區。去除圖形化結構與阻擋層；在去除圖形化結構與阻擋層之后，去除未摻雜區，在所述待刻蝕層表面形成掩膜層，掩膜層內具有暴露出待刻蝕層的頂部表面的第一開口，通過在圖形化結構側壁表面形成阻擋層，能夠有效阻擋摻雜離子進入到圖形化結構內，進而擴散至未摻雜區，使未摻雜區減小，利用阻擋層有效提升了未摻雜區與圖形化結構一致性，進而提升了圖案轉移的精準度。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構形成的方法，其特征在于，包括： 提供待刻蝕層； 在所述待刻蝕層上形成初始掩膜層； 在所述初始掩膜層上形成暴露出部分所述初始掩膜層的圖形化結構； 在所述圖形化結構側壁表面形成阻擋層； 以所述圖形化結構和所述阻擋層為掩膜，對所述初始掩膜層進行離子摻雜處理，在所述初始掩膜層內形成摻雜區以及位于所述摻雜區之間的未摻雜區； 去除所述圖形化結構與所述阻擋層； 在去除所述圖形化結構與所述阻擋層之后，去除所述未摻雜區，在所述待刻蝕層表面形成掩膜層，所述掩膜層內具有暴露出所述待刻蝕層頂部表面的第一開口；其中， 所述阻擋層用于阻擋摻雜離子進入到所述圖形化結構的側壁，進而擴散至所述未摻雜區。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號