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龍圖騰網(wǎng)恭喜長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111223769B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201811421017.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/28；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法是由張黎設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-11-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，該方法包括：于半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成溝槽；采用原位水汽生成工藝于溝槽的底部及側(cè)壁上形成氧化硅層；于氧化硅層中摻雜氮原子，形成氮摻雜氧化硅層；重復(fù)執(zhí)行上述氧化?氮摻雜工藝，直至達(dá)到厚度目標(biāo)要求；于氮摻雜氧化硅層的底部及側(cè)壁圍成的剩余部分的溝槽中填充柵極金屬層，且柵極金屬層的頂端低于半導(dǎo)體襯底的上表面。在形成氧化硅層的同時對氧化硅層進(jìn)行氮摻雜，并經(jīng)過多次氧化?氮摻雜的反復(fù)循環(huán)，提高柵極絕緣層中的氮含量，使氮摻雜更均勻，從而在保證晶體管柵極結(jié)構(gòu)性能的情況下，有效提高抗摻雜離子在柵極結(jié)構(gòu)中的擴(kuò)散問題，降低了柵極結(jié)構(gòu)的漏電流，從而提高晶體管的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述制備方法至少包括以下步驟：1）提供半導(dǎo)體襯底，并于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成溝槽；2）采用原位水汽生成工藝于所述溝槽的底部及側(cè)壁上形成氧化硅層；3）于所述氧化硅層中摻雜氮原子，形成氮摻雜氧化硅層；4）重復(fù)執(zhí)行步驟2）及步驟3），以獲得目標(biāo)厚度的氮摻雜氧化硅層；5）于所述溝槽中形成柵極金屬層，所述柵極金屬層的頂端低于所述半導(dǎo)體襯底的上表面。

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