恭喜長鑫存儲技術有限公司張黎獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111223769B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201811421017.9，技術領域涉及：H01L21/28；該發(fā)明授權半導體結構及其制備方法是由張黎設計研發(fā)完成，并于2018-11-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導體結構及其制備方法，該方法包括：于半導體襯底內形成溝槽；采用原位水汽生成工藝于溝槽的底部及側壁上形成氧化硅層；于氧化硅層中摻雜氮原子，形成氮摻雜氧化硅層；重復執(zhí)行上述氧化?氮摻雜工藝，直至達到厚度目標要求；于氮摻雜氧化硅層的底部及側壁圍成的剩余部分的溝槽中填充柵極金屬層，且柵極金屬層的頂端低于半導體襯底的上表面。在形成氧化硅層的同時對氧化硅層進行氮摻雜，并經過多次氧化?氮摻雜的反復循環(huán)，提高柵極絕緣層中的氮含量，使氮摻雜更均勻，從而在保證晶體管柵極結構性能的情況下，有效提高抗摻雜離子在柵極結構中的擴散問題，降低了柵極結構的漏電流，從而提高晶體管的性能。
本發(fā)明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法至少包括以下步驟：1）提供半導體襯底，并于所述半導體襯底內形成溝槽；2）采用原位水汽生成工藝于所述溝槽的底部及側壁上形成氧化硅層；3）于所述氧化硅層中摻雜氮原子，形成氮摻雜氧化硅層；4）重復執(zhí)行步驟2）及步驟3），以獲得目標厚度的氮摻雜氧化硅層；5）于所述溝槽中形成柵極金屬層，所述柵極金屬層的頂端低于所述半導體襯底的上表面。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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