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龍圖騰網(wǎng)恭喜佛山市國星半導體技術有限公司申請的專利一種高可靠性LED芯片及其制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN111584693B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010441088.6，技術領域涉及：H10H20/84；該發(fā)明授權一種高可靠性LED芯片及其制作方法是由陸紹堅;潘綺琳設計研發(fā)完成，并于2020-05-22向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種高可靠性LED芯片及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種高可靠性LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括發(fā)光結構和保護層，所述保護層覆蓋在發(fā)光結構的外延層和透明導電層上；所述保護層包括依次設置的Al2O3層、致密SiO2層和SiNx層，所述致密SiO2層包括若干周期高致密性SiO2層和低致密性SiO2層，高致密性SiO2層的薄膜致密性大于低致密性SiO2層的薄膜致密性。本發(fā)明的保護層通過Al2O3層、致密SiO2層和SiNx層的相互配合，不僅防止透明導電層反射翹曲，還有效保護發(fā)光結構，提高芯片的可靠性。

本發(fā)明授權一種高可靠性LED芯片及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種高可靠性LED芯片，其特征在于，包括發(fā)光結構和保護層，所述保護層覆蓋在發(fā)光結構的外延層和透明導電層上；所述保護層包括依次設置的Al2O3層、致密SiO2層和SiNx層，所述致密SiO2層包括若干周期高致密性SiO2層和低致密性SiO2層，高致密性SiO2層的薄膜致密性大于低致密性SiO2層的薄膜致密性；每個周期中高致密性SiO2層的厚度為300~600?，低致密性SiO2層的厚度為100~400?；所述致密SiO2層的制備方法包括：（1）在溫度為260~310°C、壓力為80~120Pa、RF功率為80~140W的條件下，通入氣體SiH4、N2和N2O，比例為1：（50~60）：（70~80），沉積形成高致密性SiO2層；（2）在溫度為260~310°C、壓力為120~160Pa、RF功率為120~140W的條件下，通入氣體SiH4、N2和N2O，比例為1：（105~115）：（135~145），沉積形成低致密性SiO2層；（3）重復步驟（1）和（2）若干次，形成致密SiO2層；完成步驟（1）后，在溫度為260~310℃、壓力為100~140Pa、RF功率為100~140W的條件下，通入氣體N2O，形成N2O高能粒子，撞擊高致密性SiO2層；完成步驟（2）后，在溫度為260~310℃、壓力為100~140Pa、RF功率為100~140W的條件下，通入氣體N2O，形成N2O高能粒子，撞擊低致密性SiO2層。

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