恭喜華邦電子股份有限公司吳伯倫獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華邦電子股份有限公司申請的專利電阻式隨機存取存儲器及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113889568B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010618203.2，技術領域涉及：H10N70/00；該發明授權電阻式隨機存取存儲器及其制造方法是由吳伯倫;許博硯設計研發完成，并于2020-07-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本電阻式隨機存取存儲器及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種電阻式隨機存取存儲器，包括：介電層、下電極、數據儲存層、隔離結構、第一儲氧層、第二儲氧層以及上電極。下電極突出于介電層的頂面。數據儲存層共形地覆蓋下電極與介電層。隔離結構配置在下電極上。第一儲氧層配置在隔離結構的第一側處的數據儲存層上。第二儲氧層配置在隔離結構的第二側處的數據儲存層上。隔離結構分隔第一儲氧層與第二儲氧層。上電極配置在第一儲氧層與第二儲氧層上且被第一儲氧層與第二儲氧層共享。另提供一種電阻式隨機存取存儲器的制造方法。
本發明授權電阻式隨機存取存儲器及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種電阻式隨機存取存儲器，包括：下電極，突出于介電層的頂面；數據儲存層，共形地覆蓋所述下電極與所述介電層；隔離結構，配置在所述下電極上，其中所述數據儲存層夾置在所述隔離結構與所述下電極之間；第一儲氧層，配置在所述隔離結構的第一側處的所述數據儲存層上；第二儲氧層，配置在所述隔離結構的第二側處的所述數據儲存層上，其中所述隔離結構分隔所述第一儲氧層與所述第二儲氧層；以及上電極，配置在所述第一儲氧層與所述第二儲氧層上且被所述第一儲氧層與所述第二儲氧層共享。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華邦電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣臺中市大雅區科雅一路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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