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龍圖騰網恭喜原子能和輔助替代能源委員會;國立科學研究中心;格勒諾布爾阿爾卑斯大學申請的專利在[111]取向硅襯底上外延附生硒化鎵(GaSe)的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112670158B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011101740.6，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權在[111]取向硅襯底上外延附生硒化鎵(GaSe)的方法是由M·馬丁;T·巴龍設計研發完成，并于2020-10-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本在[111]取向硅襯底上外延附生硒化鎵(GaSe)的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及在[111]取向硅襯底上外延附生GaSe的方法，其包括：?選擇[111]取向硅襯底的步驟，所述襯底由在斜切方向上切割硅棒1而產生，所述斜切方向是三個[11?2]晶向之一，斜切角α小于或等于0.1°，所獲得的襯底的表面形成鄰位面2，鄰位面2具有多個臺面21和在兩個臺面21之間的至少一個臺階22；?鈍化步驟，其由在所述硅襯底的所述鄰位面2上沉積鎵和硒的原子雙層以形成由硅?鎵?硒Si?Ga?Se制成的鈍化的鄰位面3組成，所述鈍化的鄰位面具有多個鈍化臺面31和在兩個鈍化臺面之間的至少一個鈍化臺階32；?通過在鈍化的表面3上外延附生而形成二維GaSe層的步驟，所述形成步驟包括從每個鈍化臺階32成核的步驟，和從成核步驟中獲得的核41在所述鈍化臺面31上橫向生長的步驟。本發明還涉及利用外延附生方法獲得的結構。

本發明授權在[111]取向硅襯底上外延附生硒化鎵(GaSe)的方法在權利要求書中公布了：1.在[111]取向硅襯底上外延附生GaSe的方法，其特征在于，所述方法包括：-選擇[111]取向硅襯底的步驟，所述襯底由在斜切方向上切割硅棒1而產生，所述斜切方向是三個[11-2]晶向之一，斜切角α小于或等于0.1°，所獲得的襯底的表面形成鄰位面2，鄰位面2具有多個臺面21和在兩個臺面21之間的至少一個臺階22；-鈍化步驟，其由在所述硅襯底的所述鄰位面2上沉積鎵和硒的原子雙層以形成由硅-鎵-硒Si-Ga-Se制成的鈍化的鄰位面3組成，所述鈍化的鄰位面具有多個鈍化臺面31和在兩個鈍化臺面之間的至少一個鈍化臺階32；-通過在鈍化的鄰位面3上外延附生而形成二維GaSe層的步驟，所述形成步驟包括從每個鈍化臺階32成核的步驟，和從成核步驟中獲得的核41在所述鈍化臺面31上橫向生長的步驟。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人原子能和輔助替代能源委員會;國立科學研究中心;格勒諾布爾阿爾卑斯大學，其通訊地址為：法國巴黎；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。