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龍圖騰網恭喜中國科學院微電子研究所申請的專利一種可永久性自毀的ATD電路模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114863987B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110149934.1，技術領域涉及：G11C29/38；該發明授權一種可永久性自毀的ATD電路模塊是由蘇澤鑫;李博;宿曉慧;王磊;卜建輝;趙發展;韓鄭生設計研發完成，并于2021-02-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種可永久性自毀的ATD電路模塊在說明書摘要公布了：本發明涉及一種可永久性自毀的ATD電路模塊，屬于芯片數據安全技術領域。ATD電路模塊集成于SRAM芯片內部，包括異常檢測單元、升壓供能單元和ATD邏輯單元。其中，異常檢測單元用于檢測SRAM芯片受到的威脅操作；升壓供能單元作為異常檢測單元和ATD邏輯單元的備份電源，并為ATD邏輯單元提供高電壓信號；ATD邏輯單元含有電子熔斷器，能在接收到高電壓信號后熔斷，使ATD邏輯單元徹底喪失工作能力。本發明能夠在檢測到SRAM遭受威脅操作后，對SRAM芯片進行永久性自毀，提高SRAM內部數據的安全性。

本發明授權一種可永久性自毀的ATD電路模塊在權利要求書中公布了：1.一種可永久性自毀的ATD電路模塊，其特征在于，包括：異常檢測單元、升壓供能單元和ATD邏輯單元；其中，所述異常檢測單元，在檢測到SRAM芯片受到攻擊時的異常信號后，向所述升壓供能單元提供使能信號；所述升壓供能單元，為所述異常檢測單元和ATD邏輯模塊提供備用電源，在接收到所述使能信號后，輸出高電壓信號至所述ATD邏輯模塊；所述ATD邏輯單元，用于產生ATD數字脈沖信號，其在接收到所述高電壓信號后，令所述ATD數字脈沖信號失效；所述令ATD數字脈沖信號失效包括令ATD數字脈沖信號的脈寬變窄、消失或為固定電平；所述ATD邏輯單元包括電子熔斷器、弱上拉電路和至少一個強下拉電路；其中，所述電子熔斷器位于所述弱上拉電路和所述至少一個強下拉電路之間，或者，所述電子熔斷器位于所述ATD數字脈沖信號的產生與輸出端。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。