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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市嘉合勁威電子科技有限公司申請(qǐng)的專利一種單晶內(nèi)存修補(bǔ)單晶內(nèi)存的方法和裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114121116B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111447238.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C29/00；該發(fā)明授權(quán)一種單晶內(nèi)存修補(bǔ)單晶內(nèi)存的方法和裝置是由陳暉;陳任佳;劉文;鐘林峰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種單晶內(nèi)存修補(bǔ)單晶內(nèi)存的方法和裝置在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N單晶內(nèi)存修補(bǔ)單晶內(nèi)存的方法和裝置，包括依據(jù)不良IC的不良區(qū)域?qū)⒉涣糏C劃分至地址線組和位址線組；選擇地址線組內(nèi)的任一分組中至少兩個(gè)不良IC以及選擇位址線組內(nèi)的任一分組中至少一個(gè)不良IC；依據(jù)不良IC的分組和預(yù)設(shè)規(guī)則，劃分不良IC中地址線位的IC位區(qū)；依據(jù)IC位區(qū)確定不良IC的排列順序；依據(jù)不良IC的類型和排列順序，調(diào)整×16IC單晶封裝的PCB板的布局。通過利用出廠的×8單晶封裝的不良IC對(duì)×16單晶封裝的不良IC進(jìn)行修補(bǔ)，從而重組為合格產(chǎn)品，高效地利用了不良產(chǎn)品，節(jié)省資源，同時(shí)也在一定程度上有利于環(huán)境的保護(hù)。

本發(fā)明授權(quán)一種單晶內(nèi)存修補(bǔ)單晶內(nèi)存的方法和裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種單晶內(nèi)存修補(bǔ)單晶內(nèi)存的方法，其特征在于，應(yīng)用于×8單晶封裝的不良IC和×16單晶封裝的不良IC的重組封裝，包括：依據(jù)所述不良IC的不良區(qū)域?qū)⑺霾涣糏C劃分至地址線組和位址線組；其中，所述地址線組為僅×16單晶封裝的不良IC中地址線不良的分組，所述位址線組為僅×8單晶封裝的不良IC中位址線不良的分組；其中，所述地址線組包括不良區(qū)域僅為0-3位的A分組、不良區(qū)域僅為4-7位的B分組、不良區(qū)域僅為8-11位的C分組、不良區(qū)域僅為12-15位的D分組和不良區(qū)域僅為8-15位的E分組；所述位址線組包括位址線BG1不良的F分組和G分組；其中，F(xiàn)分組為BG1=1，G分組為BG1=0；選擇所述地址線組內(nèi)的任一分組中至少兩個(gè)不良IC以及選擇所述位址線組內(nèi)的任一分組中至少一個(gè)不良IC，并依據(jù)所述不良IC的分組和預(yù)設(shè)規(guī)則，劃分所述不良IC中地址線位的IC位區(qū)；依據(jù)所述IC位區(qū)和所述不良IC的類型，調(diào)整×16IC單晶封裝的PCB板的布局。

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