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龍圖騰網(wǎng)恭喜無錫邑文微電子科技股份有限公司;江蘇邑文微電子科技有限公司申請的專利刻蝕設備及其控壓方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN119517721B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510088919.9，技術領域涉及：H01J37/32；該發(fā)明授權刻蝕設備及其控壓方法是由王顯亮;林洋洋;楊文賓設計研發(fā)完成，并于2025-01-21向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本刻蝕設備及其控壓方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導體技術領域，公開一種刻蝕設備及其控壓方法。其中刻蝕設備的刻蝕主體內(nèi)形成刻蝕腔體；控壓單元包括上控壓環(huán)和下控壓環(huán)，刻蝕主體上設置有限位件，上控壓環(huán)置于限位件或置于下控壓環(huán)的上表面；驅(qū)動單元的驅(qū)動件用于驅(qū)動下控壓環(huán)沿上下方向移動；控制單元包括檢測組件，當檢測組件檢測到刻蝕腔體內(nèi)壓力為第一預設壓力時，驅(qū)動件能驅(qū)動下控壓環(huán)以第一預設速度移動；當檢測組件檢測到刻蝕腔體內(nèi)壓力為第二預設壓力時，驅(qū)動件能驅(qū)動下控壓環(huán)以第二預設速度移動，以使刻蝕腔體內(nèi)氣壓動態(tài)穩(wěn)定保持工作壓力，第一預設速度大于第二預設速度。本發(fā)明根據(jù)刻蝕腔體內(nèi)實時壓力值控制控壓單元的移動速度，控壓效果更好。

本發(fā)明授權刻蝕設備及其控壓方法在權利要求書中公布了：1.刻蝕設備，其特征在于，包括：刻蝕主體110，其內(nèi)形成刻蝕腔體111，所述刻蝕主體110的開口端設置有上硅環(huán)120；控壓單元200，包括上控壓環(huán)210和下控壓環(huán)220，所述刻蝕主體110上設置有限位件，所述上控壓環(huán)210置于所述限位件或置于所述下控壓環(huán)220的上表面，所述上控壓環(huán)210和所述上硅環(huán)120之間、所述上控壓環(huán)210和所述下控壓環(huán)220之間、所述下控壓環(huán)220與所述刻蝕主體110之間，至少一處形成有氣體通道，限位件設置為限位孔113，上控壓環(huán)210包括穿孔部211和限位翻邊212，其中穿孔部211穿設于限位孔113內(nèi)，限位翻邊212能與限位孔113的端部選擇性抵接；驅(qū)動單元300，包括驅(qū)動件，所述驅(qū)動件用于驅(qū)動所述下控壓環(huán)220沿上下方向移動，對所述氣體通道進行動態(tài)調(diào)節(jié)；控制單元，包括檢測組件，所述驅(qū)動件與所述檢測組件通訊連接，當所述檢測組件檢測到所述刻蝕腔體111內(nèi)壓力為第一預設壓力時，所述驅(qū)動件能驅(qū)動所述下控壓環(huán)220以第一預設速度移動；當所述檢測組件檢測到所述刻蝕腔體111內(nèi)壓力為第二預設壓力時，所述驅(qū)動件能驅(qū)動所述下控壓環(huán)220以第二預設速度移動，以使所述刻蝕腔體111內(nèi)氣壓動態(tài)穩(wěn)定保持工作壓力，所述第一預設速度大于所述第二預設速度。

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