恭喜安徽點宇新材料科技有限公司陳港獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜安徽點宇新材料科技有限公司申請的專利一種低電阻透明導電薄膜及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119753575B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510275157.3，技術領域涉及：C23C14/08；該發明授權一種低電阻透明導電薄膜及其制備方法是由陳港;陳沐設計研發完成，并于2025-03-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種低電阻透明導電薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種低電阻透明導電薄膜及其制備方法，涉及ITO薄膜材料技術領域，所述制備方法包括以下步驟：S1：于室溫條件下通過磁控濺射法在基底表面形成ITO薄膜；S2：將所述ITO膜層進行梯度冷凍處理，后恢復至室溫，得到第一ITO薄膜；S3：將所述第一ITO薄膜置于微波?超聲波復合場中進行微波?超聲波協同處理，得到第二ITO薄膜；S4：將所述第二ITO薄膜按照所述S2步驟和所述S3步驟依次進行交替循環處理，得到所述低電阻透明導電薄膜。針對現有ITO薄膜制備工藝，本發明通過引入梯度冷凍工藝和微波?超聲波協同處理工藝對ITO薄膜進行聯合改性處理，實現了室溫條件下低電阻和高均勻性的ITO薄膜制備。
本發明授權一種低電阻透明導電薄膜及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種低電阻透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：S1：于室溫條件下通過磁控濺射法在基底表面形成ITO薄膜；S2：將所述ITO膜層進行梯度冷凍處理，后恢復至室溫，得到第一ITO薄膜；S3：將所述第一ITO薄膜置于微波-超聲波復合場中進行微波-超聲波協同處理，得到第二ITO薄膜；S4：將所述第二ITO薄膜按照所述S2步驟和所述S3步驟依次進行交替循環處理，得到所述低電阻透明導電薄膜；其中，所述微波-超聲波協同處理的工作條件參數包括：微波功率為650~800W，超聲功率為80~150W，時間為30~60秒。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽點宇新材料科技有限公司，其通訊地址為：232000 安徽省淮南市山南新區新型顯示產業園18號樓101室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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