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恭喜公安部第一研究所;北京中盾安民分析技術(shù)有限公司范志永獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜公安部第一研究所;北京中盾安民分析技術(shù)有限公司申請的專利一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN110445354B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:201910648807.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H02M1/08;該發(fā)明授權(quán)一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動裝置是由范志永;李子曉;常海龍;趙穎;張濤;金川設(shè)計研發(fā)完成,并于2019-07-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動裝置在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動裝置。該功率驅(qū)動裝置包括電流大小控制模塊、電流方向轉(zhuǎn)換模塊和監(jiān)控保護(hù)模塊;電流大小控制模塊與電流方向轉(zhuǎn)換模塊連接;監(jiān)控保護(hù)模塊分別與電流大小控制模塊、電流方向轉(zhuǎn)換模塊。該功率驅(qū)動裝置一方面采用半橋接閘極驅(qū)動器和相關(guān)分立元件組成電流大小控制模塊,具有電路結(jié)構(gòu)簡單,能夠持續(xù)工作,且成本低等優(yōu)點;另一方面,電流方向轉(zhuǎn)換模塊通過單路驅(qū)動信號控制H橋電路實現(xiàn)驅(qū)動電流方向的變換,具有控制端口少,可靠性高的特點;另外,監(jiān)控保護(hù)模塊通過響應(yīng)迅速的硬件觸發(fā)電路以及關(guān)斷保護(hù)電路,實現(xiàn)了對半導(dǎo)體溫控模塊及其功率驅(qū)動裝置的高效保護(hù)。

本發(fā)明授權(quán)一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動裝置,其特征在于包括電流大小控制模塊、電流方向轉(zhuǎn)換模塊和監(jiān)控保護(hù)模塊;所述電流大小控制模塊與所述電流方向轉(zhuǎn)換模塊連接;所述監(jiān)控保護(hù)模塊分別與所述電流大小控制模塊、所述電流方向轉(zhuǎn)換模塊連接,用于對關(guān)鍵位置的電流、電壓以及溫度進(jìn)行實時監(jiān)測;所述電流大小控制模塊接收來自數(shù)字信號處理器的脈沖寬度調(diào)制信號,輸出持續(xù)可控的直流電流;所述電流方向轉(zhuǎn)換模塊,用于接收所述數(shù)字信號處理器輸出的高低電平信號,以控制所述半導(dǎo)體溫控模塊的電流方向,實現(xiàn)對所述半導(dǎo)體溫控模塊的制冷、制熱驅(qū)動控制,所述電流方向轉(zhuǎn)換模塊包括電流方向控制邏輯電路、H橋電路,所述電流方向控制邏輯電路的輸入端與所述數(shù)字信號處理器的高低電平輸出端口連接,所述電流方向控制邏輯電路的輸出端與所述H橋電路的輸入端連接,所述H橋電路的輸出端與所述半導(dǎo)體溫控模塊連接;所述電流方向控制邏輯電路包括第一N溝道MOS管、第二N溝道MOS管、第三N溝道MOS管;所述第一N溝道MOS管Q7的漏極分別與第一電阻和第二電阻的一端、第一開關(guān)二極管的陰極連接,所述第一開關(guān)二極管的陽極分別與所述第二電阻的另一端、第二開關(guān)二極管的陽極連接,所述第二開關(guān)二極管的陰極與第一齊納二極管的陰極連接,所述第一齊納二極管的陽極分別與第三功率MOS管的源極、第四功率MOS管的漏極、所述半導(dǎo)體溫控模塊連接;所述第一N溝道MOS管的柵極分別與第三電阻和第四電阻的一端、第三開關(guān)二極管的陰極、所述第三N溝道MOS管的柵極、所述數(shù)字信號處理器的高低電平輸出端口連接,所述第三開關(guān)二極管的陽極分別與所述第四電阻的另一端、第四功率MOS管的柵極連接;所述第二N溝道MOS管與第五電阻、第六電阻、第四開關(guān)二極管、第五開關(guān)二極管、第二齊納二極管、第七電阻、第八電阻、第六開關(guān)二極管的連接關(guān)系同所述第一N溝道MOS管與所述第一電阻、所述第二電阻、所述第一開關(guān)二極管、所述第二開關(guān)二極管、所述第一齊納二極管、所述第三電阻、所述第四電阻、所述第三開關(guān)二極管的連接關(guān)系;所述第二N溝道MOS管的柵極還與所述第三N溝道MOS管的漏極連接,所述第一N溝道MOS管、所述第二N溝道MOS管和所述第三N溝道MOS管的源極分別接地;所述第一電阻和所述第五電阻的另一端分別與高端驅(qū)動電壓連接,所述第三電阻和所述第七電阻的另一端分別與低端驅(qū)動電壓連接;所述電流大小控制模塊包括半橋接閘極驅(qū)動器、降壓轉(zhuǎn)換器和電流取樣電路,所述半橋接閘極驅(qū)動器的輸入端與所述數(shù)字信號處理器的脈沖寬度調(diào)制信號輸出端連接,所述半橋接閘極驅(qū)動器的輸出端與所述降壓轉(zhuǎn)換器的輸入端連接,所述降壓轉(zhuǎn)換器的輸出端與所述電流取樣電路的輸入端連接,所述電流取樣電路分別與所述電流方向轉(zhuǎn)換模塊和所述監(jiān)控保護(hù)模塊連接。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人公安部第一研究所;北京中盾安民分析技術(shù)有限公司,其通訊地址為:100044 北京市海淀區(qū)首都體育館南路1號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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