恭喜聚燦光電科技(宿遷)有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜聚燦光電科技(宿遷)有限公司申請的專利LED外延結構、LED芯片及LED外延結構制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111933767B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010953817.6，技術領域涉及：H10H20/814；該發明授權LED外延結構、LED芯片及LED外延結構制造方法是由請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名設計研發完成，并于2020-09-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本LED外延結構、LED芯片及LED外延結構制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種LED外延結構、LED芯片及LED外延結構制造方法，LED外延結構包括襯底和設于其上的緩沖層和半導體層，襯底表面設有多個凸起的微結構；緩沖層包括覆于微結構之上的第一緩沖層，第一緩沖層于微結構的頂端形成第一通孔，并且于微結構的側壁形成第二通孔；半導體層內形成有沿第一通孔向上延伸的鏤空結構，所述鏤空結構內介質為空氣。通過基于通孔結構形成的位于微結構頂端的空氣柱型鏤空結構，增加了界面處的折射率差值，有效增強了光線在界面處的反射作用，提高了LED器件的光提取效率；并且，由于鏤空結構為細長且向上延伸的圓柱結構，其對所述半導體層內的結構影響較小。
本發明授權LED外延結構、LED芯片及LED外延結構制造方法在權利要求書中公布了：1.一種LED外延結構，包括襯底和設于其上的緩沖層以及半導體層，其特征在于，所述襯底表面設有多個凸起的微結構；所述緩沖層包括覆于所述微結構之上的第一緩沖層，所述第一緩沖層于所述微結構的頂端形成第一通孔，并且于所述微結構的側壁形成多個第二通孔，所述多個第二通孔為空氣孔洞；所述半導體層內形成有沿所述第一通孔向上延伸的鏤空結構，所述鏤空結構內介質為空氣，所述鏤空結構為圓柱形，高度范圍為0.5-4um，孔徑范圍為0.01-0.1um。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人聚燦光電科技(宿遷)有限公司，其通訊地址為：223800 江蘇省宿遷市經濟技術開發區東吳路南側；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號