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龍圖騰網恭喜上海交通大學申請的專利一種具有結構色的輻射制冷多層膜結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112984857B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110255747.1，技術領域涉及：F25B23/00；該發明授權一種具有結構色的輻射制冷多層膜結構是由趙長穎;金圣皓;王博翔設計研發完成，并于2021-03-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有結構色的輻射制冷多層膜結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種能夠呈現結構色的輻射制冷多層膜結構。包括頂部輻射制冷器結構和底部成色器結構，成色器結構包括自下而上堆疊形成的MIM結構和二周期一維準光子晶體結構。所述的多層膜結構的總厚度為1.657μm～1.87μm，以石英玻璃或Si作為基底材料，所述的結構在太陽光波段具有較強的反射能力，在大部分太陽光波段的反射率達到0.9以上。本發明的多層膜結構可克服目前輻射制冷結構由于顏色單一的應用場合受限問題。且相對于可呈現結構色的輻射制冷超表面光子器件，該一維結構色輻射制冷多層膜具有制造成本較低，工藝簡單的巨大優勢。所述的呈現結構色的輻射制冷多層膜結構在室外物體及電子產品熱管理等領域有廣大的應用前景。

本發明授權一種具有結構色的輻射制冷多層膜結構在權利要求書中公布了：1.一種具有結構色的輻射制冷多層膜結構，其特征在于，包括一維多層膜結構，所述一維多層膜結構包括頂部輻射制冷器結構和底部成色器結構，成色器結構包括自下而上堆疊形成的MIM結構和二周期一維準光子晶體結構；二周期一維準光子晶體結構由折射率不同的兩種電介質薄膜交替堆疊構成，其中低折射率材料為SiO2、MgF2、CaF2中的一種，高折射率材料為TiO2、HfO2、SiC中的一種；二周期一維準光子晶體結構與MIM結構的頂層金屬層協同；輻射制冷器結構由SiO2、Si3N4、Al2O3中的一種或幾種材料組成；采用Ag作為MIM結構的金屬層材料，SiO2作為MIM結構的電介質層材料；底部Ag層的厚度范圍在40～100nm，頂部Ag層的厚度范圍在10～80nm，SiO2層的厚度范圍在90～170nm；采用SiO2和TiO2作為二周期一維準光子晶體的材料，SiO2層的厚度范圍在50～100nm，TiO2層的厚度范圍在20～60nm；采用SiO2和Si3N4作為輻射制冷器的材料，Si3N4層的厚度設定為900nm，SiO2層的厚度為325nm～425nm；所述一維多層膜結構呈現減法三原色和加法三原色的結構色，分別為淡紫紅色、淡青色以及淡黃色；淡紅色、淡綠色以及淡藍色；一維多層膜結構的顏色在CIE1931色度圖中的色坐標x，y，Y分別為淡紫紅色0.31，0.30，85.30、淡青色0.30，0.33，95.93及淡黃色0.33，0.36，97.15；淡紅色0.35，0.35，84.24、淡綠色0.33，0.37，94.12及淡藍色0.29，0.32，84.02。

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