恭喜加利福尼亞大學董事會C.J.佐爾納獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜加利福尼亞大學董事會申請的專利用于減少蒸發和降解的處理半導體膜的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113330536B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080010215.5，技術領域涉及：H01L21/027；該發明授權用于減少蒸發和降解的處理半導體膜的方法是由C.J.佐爾納;M.伊扎;J.S.斯佩克;S.納卡穆拉;S.P.登巴爾斯設計研發完成，并于2020-01-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于減少蒸發和降解的處理半導體膜的方法在說明書摘要公布了：一種在處理期間保護由一層或多層構成的半導體膜的方法。該方法包括將半導體膜的表面與保護性覆蓋件諸如分離的基板件的表面直接接觸，該保護性覆蓋件與半導體膜的表面形成氣密或氣密密封，以便在半導體膜中減少材料降解和蒸發。該方法包括在例如熱退火和或控制環境的一些條件下處理半導體膜，該條件可能在沒有保護性覆蓋件的情況下導致半導體膜的蒸發或降解。
本發明授權用于減少蒸發和降解的處理半導體膜的方法在權利要求書中公布了：1.一種方法，包括： a在碳化硅SiC基板上或上方生長半導體膜，所述半導體膜包含含鋁氮化物基層； b在所述半導體膜的表面上放置保護性覆蓋件，所述保護性覆蓋件包含SiC基板的分離片，其中所述保護性覆蓋件的表面與所述半導體膜的表面形成密封，以防止所述半導體膜在處理期間蒸發或降解；和 c在一個或多個條件下處理所述SiC基板、所述半導體膜和所述保護性覆蓋件，所述一個或多個條件會使得所述半導體膜在沒有所述保護性覆蓋件的情況下蒸發或降解； d其中，在所述一個或多個條件下處理所述半導體膜以改變所述半導體膜的材料或特性；并且 e其中，在處理所述半導體膜的條件下所述保護性覆蓋件是化學惰性材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人加利福尼亞大學董事會，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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