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恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司陳國儒獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利連接結構及其形成方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113140542B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110373397.9,技術領域涉及:H01L23/528;該發明授權連接結構及其形成方法是由陳國儒;黃俊賢;劉書豪;陳亮吟;張惠政;楊育佳設計研發完成,并于2021-04-07向國家知識產權局提交的專利申請。

連接結構及其形成方法在說明書摘要公布了:本公開涉及連接結構及其形成方法。一種連接結構,包括:第一電介質層,其設置在襯底和導電特征之上;摻雜電介質層,其設置在第一電介質層之上;第一金屬部分,其設置在第一電介質層中并與導電特征接觸;以及摻雜金屬部分,其設置在第一金屬部分之上。第一金屬部分和摻雜金屬部分包括相同的貴金屬材料。摻雜電介質層和摻雜金屬部分包括相同的摻雜劑。

本發明授權連接結構及其形成方法在權利要求書中公布了:1.一種連接結構,包括:第一電介質層,設置在導電特征之上;第二電介質層,設置在所述第一電介質層之上;摻雜電介質層,設置在所述第一電介質層之上;以及金屬特征,設置在所述第一電介質層和所述摻雜電介質層中,其中,所述摻雜電介質層向所述金屬特征施加壓縮應力,其中,所述金屬特征與所述導電特征、所述摻雜電介質層和所述第一電介質層接觸,其中,所述金屬特征的頂表面和所述摻雜電介質層的頂表面對準,其中,所述第一電介質層包括第一電介質材料,并且所述摻雜電介質層的至少一部分包括與所述第一電介質材料不同的第二電介質材料,所述第二電介質層包括所述第二電介質材料,并且所述第二電介質層沒有所述摻雜電介質層的摻雜劑。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司,其通訊地址為:中國臺灣新竹市;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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