青島海存微電子有限公司孫慧巖獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉青島海存微電子有限公司申請的專利半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119183297B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411697553.7，技術領域涉及：H10B61/00；該發明授權半導體器件及其制備方法是由孫慧巖;姜曉東;張叢;盧世陽;劉宏喜;王戈飛設計研發完成，并于2024-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體器件及其制備方法，涉及半導體技術領域，用于解決半導體器件的存儲密度低的技術問題，該半導體器件至少包括襯底和設置于襯底上的堆疊結構；堆疊結構包括多個第一介質層和多個重金屬層，多個第一介質層和多個重金屬層沿第一方向依次交替堆疊設置，且重金屬層設置于相鄰兩個第一介質層之間；沿第二方向，各重金屬層的至少同一側均設置有磁隧道結；其中，第一方向垂直于襯底，第二方向平行于襯底且垂直于堆疊結構的側壁。本申請用于提升SOT?MRAM的存儲密度，且無需依賴先進光刻機臺，良品率高。
本發明授權半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，至少包括：襯底和設置于所述襯底上的堆疊結構；所述堆疊結構包括多個第一介質層和多個重金屬層，多個所述第一介質層和多個所述重金屬層沿第一方向依次交替堆疊設置，且所述重金屬層設置于相鄰兩個所述第一介質層之間；沿第二方向，各所述重金屬層的至少同一側均設置有磁隧道結；所述磁隧道結包括沿所述第二方向依次堆疊的自由層、隧穿層和參考層，所述自由層與所述重金屬層相鄰設置；其中，所述第一方向垂直于所述襯底，所述第二方向平行于所述襯底且垂直于所述堆疊結構的側壁。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人青島海存微電子有限公司，其通訊地址為：266000 山東省青島市黃島區映山紅路117號1棟1605室(原黃島區科教二路117號1棟研發中心辦公室)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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